采用TOLL封装的CoolMOS™ 8
英飞凌科技高级副总裁兼总经理Richard Kuncic表示：“我们很高兴与Enphase合作，支持他们致力于完成提供创新太阳能解决方案的使命。英飞凌的600 V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET专为以极低成本提供卓越的效率和可靠性而设计，这与Enphase和英飞凌通过提高可再生能源技术的性能和经济性的承诺相吻合，从而进一步推动低碳化。”
Enphase Energy高级副总裁兼系统业务部总经理Aaron Gordon表示：“通过与英飞凌合作，Enphase利用CoolMOS™ 8 SJ MOSFET技术提高了自身微型逆变器系统的性能和经济性。该合作展现了我们在太阳能行业追求创新与卓越的决心。我们很高兴能以极低的成本为客户大幅提升电流功率密度。”
英飞凌最新推出的600 V CoolMOS™ 8 MOFET在全球高压超结MOSFET技术领域处于领先地位，为全球树立了技术和性价比的标准。该技术提高了充电器和适配器、太阳能和储能系统、电动汽车充电和不间断电源（UPS） 等应用的整体系统性能，进一步推动了低碳化。
CoolMOS™ 8 SJ MOSFET 的栅极电荷较CFD7降低了18%，较P7系列降低了33%。栅极电荷的降低减少了MOSFET 的栅极从关断状态（非导通）切换到导通状态（导通）所需的电荷，使系统更加节能。此外，CoolMOS™ 8 SJ MOSFET拥有更快的关断时间，其热性能较上一代产品提高了14%至42%。该产品集成快速体二极管，并提供SMD-QDPAK、TOLL和Thin-TOLL 8x8封装，适用于各种消费和工业应用。
供货情况
600 V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET 和 650 V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET产品组合扩展样品将从四月初开始供应。更多信息，敬请访问www.infineon.com/coolmos8。
