TO-247-2封装的2000 V CoolSiC™
这款TO-247-2 封装的2000 V CoolSiC™肖特基二极管G5的额定电流范围为10 A至80 A。相比1200 V 解决方案，这款产品能使开发人员在应用中实现更高功率等级，同时将器件数量减半，从而简化整体设计，并有助于从多电平拓扑结构无缝过渡到两电平拓扑结构。
此外，TO-247-2 封装的肖特基二极管还采用.XT互联技术，大大降低了热阻抗，提高了热管理能力。它还通过HV-H3TRB可靠性测试，验证了在潮湿环境中的稳定性。这款二极管没有反向恢复和正向恢复，且具有正向电压低的特点，从而确保了系统性能的提升。
2000 V二极管系列可与英飞凌2024年春季推出的TO-247Plus-4 HCC 封装CoolSiC™ MOSFET 2000 V完美匹配。除TO-247-2 封装外，CoolSiC™肖特基二极管 2000 V还提供 TO-247PLUS-4 HCC封装。
供货情况
TO-247-2封装CoolSiC™肖特基二极管2000 V G5系列现已上市。此外，英飞凌还提供 2000 V CoolSiC™产品系列的评估板以及配套的栅极驱动器产品组合。了解更多信息，请访问www.infineon.com/diodes-2000v-g5。
