伴随新能源多应用市场的蓬勃发展，第三代半导体技术对新质生产力的支撑作用日益增强。以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体已成为绿色能源产业发展的重要推动力，帮助实现更高的功效、更小的尺寸、更轻的重量、以及更低的总成本。作为全球功率系统领域的半导体领导者，英飞凌在第三代半导体如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）领域持续布局，通过技术创新、产能扩张及市场应用拓展，为光储、智能家居、新能源汽车等低碳化趋势下的关键行业提供了高性能的功率半导体解决方案，推动了行业的绿色转型和可持续发展。
英飞凌科技全球高级副总裁及大中华区总裁、英飞凌科技消费、计算与通讯业务大中华区负责人潘大伟
在9日上午的主论坛开场致辞中，英飞凌科技全球高级副总裁及大中华区总裁、英飞凌科技消费、计算与通讯业务大中华区负责人潘大伟表示：“半导体解决方案是实现气候目标的关键，宽禁带半导体能显著提升能源效率，推动实现低碳转型。在当前绿色低碳化的大背景下，以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体作为新材料和新技术已开始广泛应用于新能源、电动汽车、储能、快充等多个领域。作为行业领导者，英飞凌凭借持续的技术革新与市场布局，在宽禁带半导体领域发挥着引领作用，致力于满足经济社会发展对于更高能效、更环保的半导体产品的需求。”
在《宽禁带创新技术加速低碳化和数字化》主题演讲中，英飞凌科技副总裁、英飞凌科技消费、计算与通讯业务大中华区市场营销负责人刘伟和英飞凌科技副总裁、英飞凌科技工业与基础设施业务大中华区市场营销负责人沈璐分别从市场角度阐述了英飞凌在氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)宽禁带半导体领域的领先优势。基于在SiC领域的丰厚积累，英飞凌拥有40多年对SiC工艺制程、封装和失效机理的理解，全球最大的8英寸碳化硅功率晶圆厂以及业界最广泛的SiC产品组合、应用市场、客户群覆盖。尤其是推出的新一代CoolSiCTM MOSFET Gen2技术，与上一代产品相比，将MOSFET的主要性能指标（如能量和电荷储量）提高了20%，显著提升整体能效。在GaN方面，自去年10月完成收购氮化镓系统公司（GaN Systems），目前英飞凌的氮化镓产品组合包括高压和中压的BDS、感测、驱动和控制系列，可广泛应用于AI服务器、车载充电器（OBC）、光伏、电机控制、充电器和适配器等。如在AI服务器领域，基于AI系统对更高功率的需求，进一步增加了半导体的使用量。
在技术市场方面，英飞凌科技副总裁、英飞凌科技消费、计算与通讯业务大中华区技术市场负责人陈志豪和英飞凌科技高级技术总监、英飞凌科技工业与基础设施业务大中华区技术市场负责人陈立烽则从技术应用的角度介绍了英飞凌宽禁带产品如何助力能源效率提升。如Si 、SiC 和GaN三种半导体材料器件的技术特性对比，指出虽然硅超级结在低开关频率中占优，但SiC和GaN终将主导新型拓扑结构和高频应用；结合CoolSiC™和CoolGaN™的技术特性及优势，分别在不同领域的典型应用案例，如在公共电源转换（PCS）系统中采用SiC模块，可实现>99%的效率，CoolGaN™双向开关在微型逆变器中的应用等。
此外，Yole Group化合物半导体资深分析师邱柏顺从行业分析的角度向与会者分享了全球碳化硅与氮化镓市场最新发展趋势及展望。华中科技大学教授、博导彭晗综合介绍了宽禁带功率器件的应用机遇与挑战。
在9日下午举行的碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）分论坛上，来自英飞凌及行业内的近20位嘉宾，从市场趋势、应用方案、技术创新等多个维度为与会者呈现了两场精彩的宽禁带半导体知识盛宴。市场趋势上，深入剖析了新能源汽车、光伏、储能、服务器电源等关键领域对宽禁带半导体需求的快速增长，同时，随着技术的不断成熟和成本的逐步下降，宽禁带半导体将迎来更加广阔的发展空间。
英飞凌展台
绿色能源与工业
功率半导体在降低能耗、提高能源转换效率方面发挥着突出作用，是实现双碳目标的利器。作为功率半导体市场的全球领导者，英飞凌提供高能效和高功率密度的领先半导体解决方案，全面覆盖从发电到输配电再到储能和用电的电力全产业链，为行业发展注入绿色动能。
在绿色能源与工业展区，英飞凌重点展出的亮点产品和解决方案包括用于光伏发电的四路2000V 60A MPPT EasyPACK™ CoolSiC™ MOSFET 3B碳化硅模块，该模块可以在简化系统设计的同时，提高功率密度、降低总体成本；还有光伏组串逆变器EasyPACKTM 模块，该模块由950V IGBT7和1200V SiC二极管构成, 能有效降低IGBT的开关损耗；同时还有专为满足集中式太阳能逆变器以及工业电机驱动和不间断电源（UPS）的需求而开发的62mm封装2000V CoolSiCTM半桥模块。此外，业内领先的2kV CoolSiCTM单管以及英飞凌第二代CoolSiCTM单管均有展出。
智能家居
在智能家居展区，英飞凌的 “火箭飞船着陆器” 以有趣的互动游戏，向观众展示了使用英飞凌PSOC™ Edge MCU的高性能计算能力。在一个10英寸的显示屏上，玩家通过手势控制下降的火箭，使其远离障碍物并安全着陆，结合Cortex®-M55与Helium DSP来解决计算需求和具有挑战性的游戏逻辑，以及Ethos™-U55 CPU来有效执行机器学习模型。手势识别由英飞凌XENSIV™传感器(BGT60TR13C)执行，并与先进的HMI功能相结合，以实现丰富的视觉元素和游戏图形。
在功率电源领域，英飞凌6月最新推出的中压CoolGaN™ 器件也重磅亮相，与之相匹配地还展出了基于英飞凌中压氮化镓的2KW马达驱动解决方案。此外，240W USB-PD适配器1C展品采用了数字控制XDPS2222 Combo IC CrM PFC + 混合反激HFB + GaN，展示了英飞凌高功率、单端口的数字电源解决方案。
除了元器件，英飞凌还通过“智能电磁炉参考设计”展示了其卓越的一站式解决方案能力。该参考设计涵盖了打造高端电磁炉所需的全套解决方案，包括先进的微控制器、IGBT、栅极驱动器、电流传感器、CAPSENSE™ HMI、麦克风以及无线连接组件，有效加速开发进程。这款全功能入门套件凭借其先进功能可助力客户的电磁炉解决方案在未来几年内保持行业领先地位。
电动汽车
作为全球最大的汽车半导体供应商，英飞凌在汽车电子领域深耕数十年，能够提供广泛的产品和解决方案组合，赋能未来出行。
在电动汽车展区，英飞凌进行了一系列的技术演示，其中包括使用英飞凌第二代HybridPACK™ Drive碳化硅功率模块的电机控制器系统演示，该系统集成了AURIX™ TC3xx、第二代1200V SiC HybridPACK™ Drive模块、第三代EiceDRIVERTM驱动芯片1EDI30XX、无磁芯电流传感器等，让现场观众身临其境地体验并深入了解英飞凌产品的卓越功能、创新特性，及其在缓解电动汽车里程焦虑应用中所展现的独特价值。
此外，英飞凌还在该展区展示了电流传感器模组、分立功率器件家族、QDPAK封装低导通电阻碳化硅器件、基于可焊接TO247单管的组件Demo方案、HybridPACK™ Drive产品系列、11kW OBC全GaN高功率密度充电系统解决方案，还有基于CoolMOS™和OptiMOS™功率MOSFET、CoolGaN™ SG HEMT开关、CoolMOS™ QDPAK CFD7A、6.5A 2300V单通道隔离式栅极驱动器评估板（配SiC MOSFET）等诸多支持电动出行和电动交通快速发展的产品和解决方案。
