据镓仁半导体介绍，公司联合浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院、硅及先进半导体材料全国重点实验室，采用自主开创的铸造法，成功制备了高质量6英寸非故意掺杂及导电型氧化镓单晶，并加工获得了6英寸氧化镓衬底片。
与传统的碳化硅半导体材料相比，第四代半导体材料氧化镓的耐压更高，成本更低，节能效率也更高。凭借优异的性能和低成本制造等特点，氧化镓主要用于制备功率器件、射频器件及探测器件，被广泛应用于轨道交通、智能电网、新能源汽车、光伏发电、5G移动通信、国防军工等领域。
为推动氧化镓产业发展，科技部高新司早在2017年便将其列入重点研发计划。此外，安徽、北京等省市也将氧化镓列为了重点研发对象。
据北京青年报报道，按照市场分析，2025年将迎来氧化镓市场爆发阶段，市场总值约280亿元。
在氧化镓产业爆发期即将到来之际，各大厂商也在加速抢占市场。北京铭镓半导体有限公司董事长近日介绍，近年来，氧化镓订单呈指数型增长，今年开年企业收到大量订单，预计将突破千万。
中国科学院院士郝跃认为，在未来的10年左右，氧化镓器件有可能成为有竞争力的电力电子器件，会直接与碳化硅器件竞争。此外，业内亦普遍认为，未来，氧化镓有望替代碳化硅和氮化镓成为新一代半导体材料的代表。
