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英飞凌推出OptiMOS™ 6 200 V MOSFET, 以更高的功率密度和效率树立行业新标准

发布日期:2024-03-21 来源:英飞凌作者:网络

2024320日,德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码IFX / OTCQX代码IFNNY推出OptiMOS™ 6 200 V MOSFET产品系列,使电机驱动应用取得飞跃性的进展这一全新产品组合将为电动摩托车、微型电动汽车和电动叉车等应用提供出色的性能 MOSFET产品的导通损耗和开关性能均有所改善,降低了电磁干扰EMI和开关损耗,有益于用于服务器电信储能系统ESS)、音频太阳能等用途的各种开关应用。此外,凭借宽安全工作区(SOA和业界领先RDS(on),该产品系列非常适合电池管理系统等静态开关应用。全新推出的英飞凌OptiMOS™ 6 200 V产品系列为客户提供更高的功率密度、效率和系统可靠性树立了新的行业标准

 

 

无铅OptiMOS6 TO

 

与上一代OptiMOS™ 3相比,OptiMOS™ 6 200 V产品组合具有更的技术特性,RDS(on)降低了42%有助于减少传导损耗提高输出功率。在二极管性能方面,OptiMOS™ 6 200 V的软度大幅提升至OptiMOS™ 3的三倍多, Qrr(typ)降低了 89%使开关和 EMI 性能得到明显改善。技术还提升了寄生电容线性度(Coss  Crss),减少了开关期间的振荡降低了电压过冲。更紧密的 VGS(th) 分布低跨导特性有助于MOSFET并联和电流共享,使温度变得均匀减少并联MOSFET的数量。

 

OptiMOS™ 6 200 V产品具有更出色的SOA并达到J-STD-020标准中的MSL 1等级该半导体产品组合符合RoHS规范且不含铅,满足当前行业标准的要求

 

供货情况

OptiMOS™ 6 200 V产品提供多种封装,包括PQFN 3.3.x3.3SuperSO8 5x6TOLLTO-220D2PAK-7PD2PAK-3P,适用于各种应用。所有型号目前均可订购。更多信息,敬请访问 www.infineon.com/optimos-6-200v

 

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