11月21日消息，据企查查显示，近日，华为技术有限公司、哈尔滨工业大学申请的“一种基于硅和金刚石的三维集成芯片的混合键合方法”专利公布。
该专利已在2023年10月27日申请公布。这项专利的发明无疑为芯片制造技术领域带来了一场革命性的变革，为未来的半导体产业打开了新的可能。
据悉，这项新发明涉及芯片制造技术领域。其工作流程包括：制备硅基Cu/SiO2混合键合样品和金刚石基Cu/SiO2混合键合样品后进行等离子体活化处理；将经等离子体活化处理后Cu/SiO2混合键合样品浸泡于有机酸溶液中，清洗后吹干；在吹干后的硅基和/或金刚石基Cu/SiO2混合键合样品的待键合表面上滴加氢氟酸溶液，将硅基和金刚石基Cu/SiO2混合键合样品对准贴合进行预键合，得到预键合芯片；将预键合芯片进行热压键合，退火处理，得到混合键合样品对。
总的来说，这项专利的发明不仅突破了现有的芯片制造技术，更开启了一种全新的、高效的、可靠的芯片制造方式。它不仅可以提高芯片的性能和可靠性，也可以降低芯片制造的成本，对于推动半导体产业的发展具有极其重要的意义。同时，华为和哈尔滨工业大学的这项研究也展示了他们在芯片制造技术领域的深厚实力和创新精神，无疑将为未来的半导体产业带来更多的可能性。
这一创新的技术方法实现了使用Cu/SiO2混合键来连接不同材质的硅与金刚石，实现三维异质集成的效果。此发明有可能带来未来芯片制造技术的重大突破。受此影响，培育钻石概念涨幅已超16%。
