据韩联社报道，三星电子周日表示，三星执行主席李在镕已经参观了三星关联公司在中国经营的半导体元件制造基地，这也是他三年来首次访问这个邻国。三星电子称，李在周五参观了三星电机有限公司在天津的制造工厂，并检查了多层陶瓷电容器 (MLCC) 生产线。
由于 COVID-19 大流行中断了商务旅行，这标志着李在三年内首次访问三星在中国的工厂。Lee 最后一次参观三星电子在西安的关键芯片工厂是在2020年5月。
Samsung Electro-Mechanics 主要开发和制造先进的电子和机械部件，包括控制电路和半导体基板中电流流动的芯片部件，例如 MLCC。天津MLCC生产线于2021年投产。李还与天津市委书记陈敏尔会面，就业务合作进行了讨论。三星电机代表理事张德贤、三星显示器代表理事崔周善也出席了会议。
李星期四抵达北京参加中国发展高层论坛，这是一个备受瞩目的年度论坛，定于周六至周一举行。苹果公司首席执行官蒂姆库克、辉瑞公司首席执行官阿尔伯特布尔拉和高通技术公司首席执行官克里斯蒂亚诺阿蒙预计将出席论坛。
在美国政府本周早些时候为其芯片法案发布国家安全护栏限制获得联邦补贴的芯片制造商的商业活动以阻止中国获得关键芯片技术之后，华盛顿和北京之间的紧张关系不断加剧，论坛召开之际。
三星是全球最大的存储芯片制造商，在中国西安市经营着一家芯片制造厂，占三星全球 NAND 闪存产量的 40%。这家芯片制造商在苏州经营着一家半导体封装厂。
美国允许，韩国芯片双雄松了一口气
韩国贸易部周三表示，即使在华盛顿提议的旨在防止美国补贴在中国使用的规则实施之后，但三星电子和 SK 海力士将能够维护和升级其在中国的制造设施——尽管幅度很小。
美国商务部周二宣布，将限制《芯片与科学法案》资金的接受者在包括中国和俄罗斯在内的“相关国家”投资扩大半导体制造。
但该限制并非完全禁止在中国投资，因为该部门允许接受公司将先进芯片的产能扩大 5%，将采用相对较旧制造工艺生产的芯片产能扩大 10%。
贸易、工业和能源部在审查了所谓的芯片护栏细节和去年通过的科学法案后，在周三发布的一份声明中表示：“在升级技术时，芯片制造商可以通过提高密度来增加每片晶圆的芯片数量，这转化为产能扩张。”
随着三星电子在中国西安的制造园区扩产，该地负责供应三星约 40% 的 NAND 闪存产品。
位于中国无锡的 SK 海力士工厂生产 96 层和 144 层 NAND 闪存以及约 40% 的 DRAM。
这两家芯片制造商表示，他们正在彻底审查拟议规则的细节。
三星电子在一份声明中表示：“我们一直在与美国和韩国的相关政府机构进行密切讨论，并计划在审查今天公告的细节后确定我们的下一步行动。” 半导体行业的一位消息人士表示，这一决定帮助韩国芯片制造商避免了最坏的情况。
消息人士称：“此前有人担心两家公司可能被迫关闭在中国的芯片工厂，因为最初的媒体报道称美国将对芯片工厂在中国的扩张实施 10 年禁令。”
尽管如此，由于美国对《芯片和科学法案》施加了诸多限制，这些公司仍面临着保持设施运行和使其与最新技术保持一致的困难。
去年 10 月，商务部要求企业向其在中国的工厂提供制造额定 18 纳米或更小的 DRAM 内存芯片和 128 层或更多层的 NAND 闪存芯片的技术，并获得美国政府的批准。
三星电子和 SK 海力士获得了 10 月规则的一年豁免。
与此同时，韩国立法委员会同意提出一项旨在增加韩国半导体制造设施税收优惠的法案。立法者将在定于 3 月 30 日举行的全体会议上投票。
该修正案将给予大公司高达 15% 的半导体制造投资税收抵免，高于之前的 8%。对于中小企业，这一比例将从目前的 16% 上调至 25%。
