三安光电SiC项目再“进补”1亿元

据了解，湖南三安半导体基地一期项目已于今年6月正式投产运行，点亮了国内首条、全球第三条SiC垂直整合产业链，覆盖衬底材料、外延生长、晶圆制造、封装测试等环节，可实现月产30,000片6英寸SiC晶圆。

该项目的建设不仅能够带动三安光电的销售收入增长，也有利于推动SiC产业的国产化替代进程。今年以来，湖南三安项目也频频获得政府的资金支持，到目前为止，湖南三安已累计获得相关政府补贴款超5.9亿元，预计将对三安光电2021年度利润产生一定的积极影响。

产品方面，三安光电的6英寸SiC衬底目前以自用为主，基于自有衬底生产的SiC二极管、SiC MOSFET产品在今年取得了重要的进展。

公开消息显示，三安光电的SiC二极管上半年新开拓了518家客户，出货客户超过180家；超过60种产品已进入量产阶段，在服务器电源、通信电源、光伏逆变器、充电桩、车载充电机、家电等细分应用市场客户实现稳定供货；同时三安光电已与国际标杆客户实现战略合作，海外市场已有所突破。

针对新能源汽车领域，三安光电已有2款SiC二极管产品通过车载认证并送样行业标杆客户，处于小批量生产阶段。SiC MOSFET方面，工业级产品已送样客户验证，车规级产品正配合多家车企做流片设计及测试。

根据TrendForce集邦咨询分析，车规级SiC MOSFET技术门槛较高，认证要求严格、认证周期长，虽然国外已有不少SiC MOSFET上车，但国内仍较为少见，目前SiC二极管仍是主流。不过，近日国内这一领域出现了新的进展。

据报道，有业内人士透露，国产SiC功率器件供应商派恩杰半导体的SiC MOSFET已经获得了新能源汽车龙头企业的数千万订单。目前尚未有官方消息证实这一说法，但若此事为真，则标志着国内厂商在车规级SiC MOSFET领域取得了重要突破。

无论如何，包括三安光电在内的国内厂商一直都在寻求新的突破，从SiC二极管到SiC MOSFET，不断推动SiC的上车进程。

日前，三安光电在“宽禁带半导体助力碳中和发展峰会”上坦言，由于长续航里程的车型的导入驱动力比较强，SiC将优先渗透长续航里程的车型。三安光电预计在2023-2024年，SiC器件在长续航新能源车型中的渗透率为80-90%，甚至可达100%。

相信在技术的不断进步及下游应用需求的推动下，三安光电的车规级SiC二极管将逐步进入大规模量产的阶段，打入更多车企供应链，而车规级SiC MOSFET也将获得车载认证并逐步获得车企的订单。