昭和电工斥巨资扩产SiC-综合信息-自动化新闻网

日前，昭和电工宣布，将藉由公募增资、第三者配额增资筹措约1,100亿日圆资金，其中约700亿日圆将用于扩增SiC晶圆等半导体材料产能。

昭和电工指出，藉由公募增资、第三者配额增资，以及视需求动向将实施超额配售(Over allotment)，预估最高将发行3,519万股新股、约相当于现行已发行股数的2成比重，最高将筹得1,093亿日圆资金。

在上述1,093亿日圆资金中、约700亿日圆将用于增产半导体材料。就细项来看，昭和电工计划投资58亿日圆增产使用于功率半导体的SiC晶圆以及锂离子电池材料、增产工程预计于2023年12月完工；投资59亿日圆增产电子材料用高纯度气体、预计2023年12月完工；投资232亿日圆提高研磨液(CMP Slurry)产能及改善质量、预估2023年12月完工；投资248亿日圆增产使用于印刷电路板(PCB)的铜箔基板(CCL、Copper Clad Laminate)、感光性薄膜，预计2024年3月完工。

日本市调机构富士经济(Fuji Keizai)6月10日公布调查报告指出，自2021年以后，在汽车/电子设备需求加持下，预估碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等次世代功率半导体市场将以每年近20%的速度呈现增长，2030年市场规模预估为2,490亿日圆、将较2020年跳增3.8倍(成长约380%)。

其中，因汽车/电子设备需求加持，来自中国、北美、欧洲的需求扬升，预估2030年SiC功率半导体市场规模将扩大至1,859亿日圆、将较2020年跳增2.8倍；GaN功率半导体市场规模预估将扩大至166亿日圆、将较2020年飙增6.5倍；氧化镓功率半导体市场规模预估为465亿日圆。

Cree：世界最大SiC晶圆厂明年投产

据CREE CEO Gregg Lowe在日前介绍，公司位于纽约州马西镇（Marcy）的碳化硅（SiC）晶圆厂有望在2022年初投产，该厂于2019年开始建设，为“世界上最大”的碳化硅晶圆厂，将聚焦车规级产品，是科锐10亿美元扩大碳化硅产能计划的一部分，也是该公司有史以来最大手笔的投资。

在2019年5月7日 Cree宣布，作为公司长期增长战略的一部分，将投资10亿美元用于扩大SiC碳化硅产能，在公司美国总部北卡罗莱纳州达勒姆市建造一座采用最先进技术的自动化200mm SiC碳化硅生产工厂和一座材料超级工厂。这项标志着公司迄今为止最大的投资，将为Wolfspeed SiC碳化硅和GaN-on-SiC碳化硅基氮化镓业务提供动能。在2024年全部完工之后，这些工厂将极大增强公司SiC碳化硅材料性能和晶圆制造产能，使得宽禁带半导体材料解决方案为汽车、通讯设施和工业市场带来巨大技术转变。

Cree首席执行官Gregg Lowe先生表示：“我们不断地看到在汽车和通讯设施领域采用SiC碳化硅的优势来驱动创新所产生的巨大效益。但是，现有的供应却远远不能够满足我们对于SiC碳化硅的需求。今天，我们宣布了公司迄今在生产制造的最大投资，将大幅地提升供应，帮助客户为市场提供变革性的产品和服务。这项在设备、基础设施、公司人力方面的巨大投入，将为我们显著扩大产能。与2017财年第一季度（也就是我们开始扩大产能的第一阶段）相比较，能够带来SiC碳化硅晶圆制造产能的30倍增长和材料生产的30倍增长。我们相信这将使得我们能够满足Wolfspeed SiC碳化硅材料和器件在未来5年乃至更长远的预期增长。”

这项计划将为业界领先的Wolfspeed SiC碳化硅业务提供附加产能。通过增建现有的建筑设施，作为面积253,000平方英尺的200mm功率和RF射频晶圆制造工厂，迈出满足预期市场需求的第一步。新的North Fab将被设计成能够全面满足汽车认证的工厂，其生产提供的晶圆表面积将会是今天现有的18倍，刚开始阶段将进行150mm晶圆的生产。公司将把现有在达勒姆的生产和材料工厂转变为一座材料超级工厂。

Cree首席执行官Gregg Lowe先生同时还表示：“这些SiC碳化硅制造超级工厂，将加速当今最快增长市场的创新。通过提供解决方案，帮助提高EV电动汽车的行驶里程并减少充电时间，同时支持5G网络在全世界的部署。我们相信这代表着SiC碳化硅和GaN氮化镓技术和制造有史以来最大的资本投资，也是一种在财政上负责任的方式。通过采用现有工厂和安装绝大部分的整新工具，我们相信我们可以实现提供最先进技术的200mm fab，并且成本大约仅为一座新fab的1/3。”

扩大的园区将创造高科技就业机会，并提供先进制造人才发展计划。Cree计划与州、当地和四年制院校开展培训项目，为新工厂所带来的长期、高端就业和成长机遇提供人才储备。

罗姆将车用SiC产能扩大五倍

据日经日前报道，日本各家电子零件厂加快对EV相关零件进行增产投资，其中Rohm计划在今后5年内投资600亿日圆、将使用于EV的SiC功率半导体产能扩增至现行的5倍。

报导指出，Rohm在碳化硅(SiC)功率半导体的研发上居领先，于全球SiC功率半导体市场握有2成市占率，和英飞凌( Infineon )、STMicroelectronics并列为全球主要供应商之一，而其产能扩增至5倍后、全球市占率有望提高至3成。Rohm生产的半导体材料也以经由汽车零件厂的形式、使用于特斯拉(Tesla)的EV逆变器(inverter)上。

早在几年前，罗姆就规划将在旗下生产子公司「ROHM Apollo」的筑后工厂(福冈县)内兴建新厂房，预计于2019年2月动工、2020年12月完工。按照罗姆于SiC电源控制芯片事业策略说明会上表示，公司将投资约200亿日圆，于2020年倍增SiC电源控制芯片产能，而罗姆也考虑于宫崎县进行增产投资，在2025年3月底前累计将投资600亿日圆，届时将SiC电源控制芯片产能大幅扩增至2016年度16倍。

而在早前，ROHM最近举行了开幕式，宣布将于2019年2月开始在ROHM Apollo的Chikugo工厂完成新建筑的竣工，以增强SiC功率器件的生产能力。

新大楼是一家最先进的环保工厂，其生产设施采用了许多节能技术，其中100％的电力来自可再生能源。

此外，我们通过引入各种灾难对策来增强BCM（业务连续性管理）系统。从2021年1月起，我们将开始安装生产设备并构建能够满足SiC功率器件中长期增长需求的制造系统。

据报道，自2010年以来，ROHM一直在大量生产包括SiC SBD和MOSFET在内的SiC功率器件，该公司在技术开发方面继续保持行业领先地位，例如推出了业界首款全SiC功率模块和SiC沟槽MOSFET。同时，罗姆拥有一个集成的生产系统，致力于通过增加硅片直径和利用最新设备来提高生产效率，同时还减少了制造对环境的影响。

除了这栋新建筑外，罗姆集团旗下生产SiC硅片的SiCrystal GmbH计划从下一个财年开始使用100％可再生能源运营，从而将工厂购买的电力所产生的CO 2排放量降至零。结果，所有主要的SiC芯片生产工艺都将使用环保的可再生能源。

资料显示，统计2020上半年全球半导体碳化硅衬底市场份额， CREE出货量占据全球45%，日本罗姆子公司SiCrystal占据20%，II-VI占13%；中国企业天科合达的市场占有率由2019年3%上升至2020年5.3%，山东天岳占比为2.6%。

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