长江存储128层 3D NAND，正式出货！-综合信息-自动化新闻网

长江存储128层 3D NAND，正式出货！

发布日期：2021-07-26 作者：网络

在宣布跳过96层，直接进入128层3DNAND之后，长江存储的进展就备受关注。近日，我们也终于看到了他们的好消息。

据B站用户“存储极客”介绍，嘉合劲威旗下的国产高端固态硬盘品牌阿斯加特推出了其其第四代NVMe固态硬盘AN4。在这个Asgard AN4 1T NVMe产品中，使用了InnoGrit英韧IG5236主控，同时，还搭配了长江存储Xtacking 架构3D TLC闪存。

据存储极客介绍，他拆解了阿斯加特的AN4，双面PCB布局、共有四颗编号为YMN09TC1B1HC6C的闪存颗粒，这正是采用了长江存储Xtacking架构最新一代128层堆叠技术。

延伸阅读：长江存储推出128层闪存

今年四月，长江存储科技有限责任公司宣布其128层QLC 3D NAND 闪存（型号：X2-6070）研发成功，并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。作为业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存，长江存储X2-6070拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND 闪存芯片容量。此次同时发布的还有128层512Gb TLC（3 bit/cell）规格闪存芯片（型号：X2-9060），以满足不同应用场景的需求。

得益于Xtacking 架构对3D NAND控制电路和存储单元的优化，长江存储64层TLC产品在存储密度、I/O性能及可靠性上都有不俗表现，上市之后广受好评。

在长江存储128层系列产品中，Xtacking已全面升级至2.0，进一步释放3D NAND闪存潜能。在I/O读写性能方面，X2-6070及X2-9060均可在1.2V Vccq电压下实现1.6Gbps（Gigabits/s 千兆位/秒）的数据传输速率，为当前业界最高。由于外围电路和存储单元分别采用独立的制造工艺，CMOS电路可选用更先进的制程，同时在芯片面积没有增加的前提下Xtacking2.0还为3D NAND带来更佳的扩展性。

长江存储通过对技术创新的持续投入，已成功研发128层两款产品，并确立了在存储行业的技术创新领导力。凭借1.6Gb/s高速读写性能和1.33Tb高容量，长江存储通过X2-6070再次向业界证明了Xtacking架构的前瞻性和成熟度，为今后3D NAND行业发展探索出一条切实可行的路径。

长江存储表示，QLC是继TLC（3 bit/cell）后3D NAND新的技术形态，具有大容量、高密度等特点，适合于读取密集型应用。每颗X2-6070 QLC闪存芯片拥有128层三维堆栈，共有超过3,665亿个有效的电荷俘获型（Charge-Trap）存储单元，每个存储单元可存储4字位（bit）的数据，共提供1.33Tb的存储容量。如果将记录数据的0或1比喻成数字世界的小“人”，一颗长江存储128层QLC芯片相当于提供3,665亿个房间，每个房间住4“人”，共可容纳约14,660亿“人”居住，是上一代64层单颗芯片容量的5.33倍。

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