第三代半导体材料SiC（碳化硅）单晶衬底研发、制备以及销售公司「同光晶体」于近期完成数亿元D轮融资。本轮融资由联新资本领投，浩澜资本、北汽产业投资基金、云晖资本、梵宇资本联合投资。本轮融资将主要用于包括晶体生长设备和加工设备采购在内的产能扩充。
同光晶体成立于2012年5月，依托于中科院半导体所，是国内率先实现量产第三代半导体材料SiC单晶衬底的高科技企业。公司目前的产品包括4英寸、6英寸高纯半绝缘型以及导电型碳化硅单晶衬底材料。
6英寸N型导电型衬底，Source：同光晶体
以SiC和GaN为代表的第三代半导体材料，又因其禁带宽度大于2.2 eV而被称为宽禁带半导体。宽禁带的结构决定了第三代半导体材料在高温、高频、高功率的工作环境下将拥有更加优异的性能，同时兼具这些性能特点让第三代半导体材料不仅能在以传统硅基半导体为主导的存量市场会有更出色的表现，同时在一些如新能源汽车、高压快充等新兴起的领域将成为下游应用厂家无可替代的选择。
同光晶体的SiC衬底主要应用在功率半导体与射频半导体领域，其中由导电型碳化硅衬底制成的功率半导体器件主要应用于电子电气领域中新能源汽车、光伏发电等方面，而由半绝缘型衬底制成的射频半导体器件将应用于5G通讯、卫星、雷达等领域。
目前，同光晶体的产品已供应至国内主要下游应用方，同时公司正与来自德国、日本的工业巨头进行产品验证、需求对接方面的合作。
同光晶体在2019年完成保定园区扩产，2020年实现从研发到量产的转化，产值达数亿元，且今后每年仍能保持较高增速。
同光晶体董事长兼总经理郑清表示，目前公司已完成自主搭建200台单晶生长炉，同时为满足功率半导体器件需求，本年计划陆续投产600台生长炉，在2022年4月预计产能将达到10万片。
同光晶体投资方、浩澜资本主管合伙人王曦认为，在整车高压技术和高压快充等的发展带动下，中国SiC产业应用将进一步爆发。而衬底是在SiC晶圆成品总价值量中占比最大的部分，是技术壁垒较高、未来国产化空间较强的环节，同光晶体作为国内率先实现碳化硅产业化生产的企业之一，有着扎实的技术探索和经验积累，近年来已实现了跨越性的成长，产品良率和技术指标在国内处于领先地位。
联新资本认为，受益于技术进步及5G通信、新能源汽车、光伏等下游需求行业的快速发展，第三代半导体已进入成长期，大规模商业化应用已展开。同光晶体位于第三代半导体产业链的上游材料环节，在碳化硅衬底领域，具有深厚的技术与丰富的量产经验。
来源：创业邦
