功率半导体：日本的一张王牌
在功率元件方面占据优势的日本半导体企业有：三菱电机、富士电机、日立功率元件、东芝电子元件与存储器件等。中坚企业有罗姆、产研电气、新电元工业等等。
而在氧化镓方面，日本在元件、基板等方面的研发全球领先。但据了解，研究氧化镓功率元件、并进行开发的并不是现在的大型、中型功率半导体企业！也就是说并不是我们所熟悉的三菱电机、富士电机、日立Power Device、东Device&Storage、罗姆、三星电子、新电元工业等企业。而是一些小企业。
自2012年以后，业界不断公布关于氧化稼功率元件的研发、试做成果。迄今为止，已经试做了横型MES FET、横型MOS FET、Normally Off的纵型MIS FET。在SBD的试做中，已经证明了ON电阻比碳化硅的SBD低得多！在初级试验阶段就可以证明其性能超过碳化硅功率元件，这真是了不起！而现在参加研发的日本企业持续增加，且正在呈现出“All Japan”的景象。
随着电动车和各种绿化智能的需求成为主流，功率器件的重要程度日益提高，但这能否成为日本半导体卷土重来的底气，那就有待后续观察了。但从现在看来，中国大陆、美国、欧洲和大陆的功率器件竞赛已然拉开帷幕。
技术进步产能扩张，国产替代未来可期
国内功率半导体厂商研发支出/ 人员不断扩大。近年来国内厂商加大研发投入，研发支出快速增长，多家厂商 2020 年度前三季度的研发支出已接近 2019 年全年水平，研发人员数量也呈快速增加趋势。
国内功率半导体厂商研发人员数量部分产品技术水平已达到国外主流水准。持续的研发投入带来了国内功率半导体厂商的技术进步。部分功率半导体产品已达到与国外主流竞品的同等技术水平。比如，华润微已建立国内领先的 Trench-FS 工艺平台。斯达半导体拥有基于第六代 Trench Field Stop 技术的 1700V IGBT 芯片及配套的快恢复二极管芯片技术。新洁能 MOSFET 国内领先，可提供 12-250V 沟槽型/500-900V 结/30-300V 屏蔽栅 MOSFET 产品，性能接近英飞凌主流产品。
国内厂商产能扩张助力份额提升。在技术进步的同时，国内功率半导体厂商也不断加大投资建厂步伐，扩大产能以提升市场份额。
通过以上分析，国内厂商有望凭借技术进步、成本优势和快速响应能力实现国产替代 、 份额提升 。当前功率半导体国产化率较低主要集中在高端产品领域。但功率半导体行业因为技术迭代较慢、产品生命周期较长、投资强度相对较小的特点，有望成为国替代的最佳赛道。
