由于采用新型微沟槽技术，TRENCHSTOPIGBT7芯片的静态损耗大大降低。在相同的电流等级下，TRENCHSTOPIGBT7芯片的通态电压可以降低10%。这使得应用中的损耗大幅降低，尤其能使通常在中等开关频率下运行的工业驱动的损耗大大降低。IGBTT7技术的饱和电压（VCE(sat)）很低，并带有发射极控制的第七代（EC7）二极管，该二极管的正向压降（VF）可减小150mV，同时还能提高反向恢复软度。
TRENCHSTOPIGBT7器件具有优异的可控性和卓越的抗电磁干扰性能。它很容易通过调整来达到特定于应用的最佳dv/dt和开关损耗。650VTRENCHSTOPIGBT7拥有应用所需的抗短路能力。此外，它还通过了基于JEDEC标准的HV-H3TRB（高压高湿高温反偏）试验，证明该器件在常见的工业应用的高湿环境中具有良好的耐用性。
供货情况
650VTRENCHSTOPIGBT7分立式器件现已接受订购。
