当前资金疯狂涌入中车时代电气，不仅是因为传统城轨、铁路业务迎来机遇，还有在IGBT行业规模、热度爆发性增长的当下，公司是最有潜力抢下半壁江山的那家龙头企业。
IGBT行业爆发正在上演
作为半导体功率器件中最有潜力的IGBT，当前市场规模正快速增长。智通财经APP了解到，IGBT是绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR(电力晶体管)的低导通压降两方面的优点。根据ICInsights的预测，未来半导体功率器件中，MOSFET与IGBT器件将是最强劲的增长点，其中IGBT是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。
随着轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域的加速发展，国内IGBT需求迎来爆发，近几年国内IGBT市场规模呈加速增长趋势。根据IHS报告，2018年全球IGBT市场规模为62.4亿美金，中国市场规模为19.23亿美金，占全球市场规模比例达到30.82%。随着中国在新能源领域持续大规模地投入，中国IGBT市场增速将快于全球，中国IGBT市场占比将进一步提升。
目前新能源汽车的全面爆发，更是给IGBT加了一把火。智通财经APP了解到，新能源车的成本结构中，排在第一的电池成本可以占到总成本40%以上，第二大的则是电机驱动系统，可以达到总成本的15%-20%，IGBT则占到电机驱动系统成本40%-50%，即IGBT能占总成本接近8%的比例。而且相对于传统燃油车功率半导体器件电压低，只需要Si基的MOSFET而言，新能源汽车在600V以上MOSFET无法达到要求成，必须要换成IGBT，因此IGBT也是仅次于电池以外第二大受益的零部件。
以SIC-MOS的成熟后单车平均IGBT用量逐渐下滑至2025年的430美元/车，2025年预测新能源车销量504万辆计算，中国2025年车载IGBT市场规模达22亿美金，届时全球新能源车数量预计为国内的3倍，全球车载IGBT市场规模就高达66亿美金。
当前最新产业数据得知，IGBT已经逐步呈现供不应求状态。根据富昌电子的2020年Q1市场行情报告显示，目前英飞凌、安森美、Microsemi等IGBT供应商的供货周期普遍维持在13-30周左右，且交期有延长趋势，而IGBT正常的供货周期是在7-8周左右，可见IGBT供应的紧张态势。
与此同时，国内IGBT供应企业还享受国产替代这一重大利好逻辑。智通财经APP了解到，由于IGBT行业存在技术门槛较高、人才匮乏、市场开拓难度大、资金投入较大等困难，国内企业在产业化进程中一直进展缓慢，目前全球IGBT市场主要被国外公司所占领，2017年全球IGBT市场中，英飞凌以27.1%的市占率排名第一，三菱以16.4%排名第二，排名第三的富士电机市占率为10.7%。全球前5公司市占率达67.5%，行业集中度较高，国内IGBT龙头斯达半导全球市占率仅2.2%。
随着全球制造业向中国的转移，我国功率半导体市场占世界市场的50%以上，是全球最大的IGBT市场，但IGBT产品严重依赖进口，在中高端领域更是90%以上的IGBT器件依赖进口，尤其在国内供应链安全时常受威胁的背景下，下游客户纷纷增加国产供应商份额以备不时之需，IGBT国产化需求已是刻不容缓，国产替代逻辑顺畅。
而在这重重利好的大背景下，中车时代电气或是受益最具确定性的龙头企业。
绝对技术领先优势下，中车时代有望脱颖而出
随着市场蛋糕越来越大，国内参与者也越来越多。智通财经APP了解到，受IGBT市场需求大幅增长推动，国内IGBT行业近年开启加速增长。除华为开始布局之外，比亚迪微电子、中车时代电气、斯达半导、士兰微等部分企业已经实现量产。此外，近年来，原从事二极管、三级管、晶闸管等技术含量较低的功率半导体厂商，华微电子、扬杰科技、捷捷微电以及台基股份等纷纷向MOSFET与IGBT领域突围，部分下游应用厂商也向上游IGBT领域布局。
但能够撼动国际巨头地位的，或许还是只有中车时代电气。智通财经APP了解到，中车时代电气2008年进入IGBT业务，2014年生产出第一个分立器件，公司也是在3300-6500V领域国内唯一的制造商。基于其3300V分立器件和模块，时代电气的IGBT产品最早应用于大功率机车，而且公司IGBT产品还进入了中国国家电网的UHVDC(超高压直流)项目、印度的机车市场和俄罗斯的分立器件市场。
目前行业绝对领导者是德国的英飞凌，拥有最先进的第七代技术，市占率超过半壁江山，当前特斯拉、吉利、一汽大众等都是英飞凌供货。中车技术水平是和英飞凌同代，但略弱于英飞凌，主要是一些非关键性指标小幅弱于英飞凌，公司当前仍在追赶。而国内市占率第一的斯达半导，其实基本没有自己的技术和生产线，多是贴牌英飞凌。比亚迪半导体则主要是自供，技术水平还停留在第四代和第五代。
据销售市场资料显示，当前中车时代已经逼迫英飞凌不断降价来保住市场，已经表明中车时代技术上已经严重威胁到了英飞凌行业领先者的地位。同时，从客户的实际应用反馈数据来说，基本认为和英飞凌差别不大，相较于其他几个品牌则是明显拉开了差距。
并且，从中车内部人员沟通中，同样能体会到当前中车时代的技术领先优势。智通财经APP了解到，因为认可中车在IGBT领域的技术水平和研发能力，公司有很多技术员工都是清华毕业，或是欧美专门学习研究IGBT的回国加入中车，落户株洲。按照他们的原话来说，现在的重点就是迭代技术，追赶英飞凌，国内同行完全不构成威胁，国内唯一对手也许只是华为。
目前公司正在进行科创板上市，来将技术优势转化为胜势。
科创板上市催化，碳化硅后劲支撑
科创板上市基本确定，产能扩张也已提上日程。智通财经APP了解到，中车时代电气旗下中车半导体正在筹划上市国内的科创板，已经在做上市辅导了，并且战略投资方面公司也已经跟全球知名机构正在进行商谈。此次公司上市募资除继续投入研发外，就是用于产能扩张。据悉，公司目前有一个工厂主要供货是高铁，另外也已经和东风、广汽合资建厂进行中，虽然因为2020年初的公共卫生事件而有所耽误，但是2021年仍可以进行投产，且每一个厂的产能都超过当前国内市占率暂时第一的斯达半导生产力。
要知道的是，由于IGBT领域技术更迭较慢，部分产品可以用到5-10年之久，同时IGBT的进入壁垒是功率半导体里最高，从芯片设计到模组都需要很长时间技术积累以及在实际应用中不断调试，注重资深工程师的经验积累，高壁垒重积累的特性决定中车时代这样高投入，是能有足够回报。
此外，公司碳化硅布局的大量投入还在为长期发展铺路。智通财经APP了解到，碳化硅和氮化镓是未来功率半导体的核心发展方向，相对于传统的硅材料，碳化硅的禁带宽度是硅的3倍；导热率为硅的4-5倍；击穿电压为硅的8倍；电子饱和漂移速率为硅的2倍，因此，碳化硅特别适于制造耐高温、耐高压，耐大电流的高频大功率的器件，主要应用是超级充电，400公里续航只需要5~10分钟，是一个非常有潜力的千亿赛道。
虽然当前SIC成本由是Si基的4-5倍，因此当前仍以Si仍为应用主流，但随着未来2-3年的时间里，当SiC成本由目前是Si基4-5倍下降至2倍，SIC的时代就将来临。中车时代官网除了展示IGBT产品外，还有展示5款SiC肖特基(SICSBD产品)，目前中车碳化硅的技术处于国际领先齐头并进的水平，相信在未来3-5年，SIC基材逐渐侵占Si基材份额的大趋势下，公司又将收获一枚业绩增长强驱动。
综上而言，作为具备IGBT技术绝对领先优势的国内企业，面对行业爆发性增长和国产替代大需求，以及科创上市带来的全面扩产，公司有望在不久的将要迎来业绩爆发式增长，当前资金疯狂涌入，等待的或是一波凶猛的中长期行情。
