时代电气半导体事业部6英寸碳化硅(SiC)生产线是国内首条6英寸SiC 生产线，获得了国家“02专项 ”、国家发改委新材料专项等国家重点项目支持，是公司的重点投资项目之一。在中国科学院微电子研究所的支持和协助下，半导体事业部SiC 产品开发团队完成了SiC 芯片结构设计、高温离子注入机等50余台工艺设备和90余项工艺调试，实现SiC 二极管和mosFET芯片工艺流程整合，成功试制1200V SiC肖特基二极管功率芯片。
中车时代电气于2011年与中科院微电子所成立联合研发中心，正式开展SiC功率半导体器件研究;2013年后，陆续获得国家科技重大专项“02专项”等多项国家重点项目支持;2016年公司自主研发的碳化硅功率模块在轨道交通、光伏逆变器成功进行示范应用;2017年底，6英寸碳化硅(SiC)生产线完成技术调试。此次6英寸SiC芯片试制成功是我国SiC功率半导体器件产业发展的里程碑，是SiC 芯片国产化进程的重要一步，用事实和实力提振了国产宽禁带半导体产业的信心。
