联华电子与嵌入式非挥发性内存解决方案厂商Cypress今(21日)共同宣布，联华电子40纳米制程平台已取得Cypress的SONOS嵌入式闪存硅智财授权。Cypress的SONOS硅智财具有容易整合的NVM单元，以及可顺应未来发展的可微缩性。此技术主要使用于物联网应用产品、穿戴式电子、微控制器，以及逻辑IC产品。
在这三年内，此次已是联华电子与Cypress双方第三次的SONOS技术合作。2014年联华电子取得Cypress的55纳米SONOS制程授权，2013年则认证通过Cypress的65纳米技术。
Cypress的40纳米SONOS嵌入式NVM制程，与其他嵌入式NVM技术相较，具有不同的优势。在标准CMOS制程之外，其它嵌入式闪存技术需要外加至少12层光罩，而SONOS技术则仅需额外加上5层即可。除此之外，在加入一般CMOS制程时，SONOS不会改变标准组件特性或model，不影响并保留现有硅智财。SONOS具备高良率与高可靠度、十年的资料保存、十万次的编程/擦除耐久周期，以及避免软错误发生的高抵抗力。联华电子与Cypress已展现出将SONOS微缩到更小制程的丰厚实力，并可进一步促进未来硅智财的开发。
联华电子负责特殊技术开发的简山杰副总表示：「除了具备因应物联网需求的专门技术与设计平台，联华电子也提供物联网设计套件与硅智财，以加速我们客户的产品上市时程。我们很高兴扩展了本公司涵盖广泛的eFlash解决方案，在我们high-volume与high-demand的40纳米制程平台，加入Cypress的SONOS硅智财，提供客户高效能低功耗的嵌入式内存选项，让客户的物联网产品能有流畅并可微缩的制程移转路径。」
Cypress技术与硅智财事业群副总Sam Geha表示：「Cypress很高兴与联华电子持续携手合作，拓展我们SONOS硅智财作为客户嵌入式NVM最佳首选的采用度。此40纳米SONOS制程系嵌入于超低功耗制程技术，亦可嵌入于其它40纳米制程技术，对于欲开发智能型，合乎功耗效能产品，进军物联网与穿戴式市场的联华电子广泛客户，都可获得此40纳米SONOS制程所提供的优势。此制程同时也可赋予微处理器更快的处理速度与更低的功耗。
