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三菱电机在PCIM亚洲展亮相的六款新品大受观众青睐

发布日期:2014-06-23 来源:三菱电机作者:网络
  三菱电机于6月19日刚刚落下帷幕的PCIM亚洲展上大放异彩,以“创新功率器件构建可持续未来”为题,携六款全新产品,在上海世博展览馆举行的PCIM亚洲展2014中隆重亮相,现场观众络绎不绝。
 
  今年展出的产品范围跨越六大领域,包括:工业应用、变频家电应用、可再生能源应用、铁路牵引和电力应用、电动汽车应用以及碳化硅器件应用。
 

展台现场-1:三菱电机PCIM展位上观众络绎不绝
 
  在新产品方面,这次展出的全新第7代IGBT模块,适合应用在工业驱动和太阳能发电上。它采用了第7代IGBT硅片和二极管硅片;具有650V、1200V和1700V三种电压等级;提高利用门极电阻优化dv/dt的可控性;涵盖模块电流75A至2500A;继承传统的三种封装,适应不同的结构设计需求;采用预涂热界面材料,降低模块与散热器的接触热阻。
 

展台现场-2:三菱电机工程师为媒体、观众细心讲解
 
  在高端变频器和伺服驱动器应用方面,三菱电机这次推出的G系列IPM(智能功率模块),采用第7代CSTBTTM硅片,进一步降低损耗;采用更适合伺服驱动应用的窄长形封装;兼容控制管脚和现有L1系列相同。
 
  对于铁路牵引和直流输电应用,新推出了X系列HVIGBT。其采用了最新一代HVIGBT,进一步提升3.3kV/4.5kV/6.5kV的电流等级;应用第7代IGBT和RFC Diode硅片技术,实现更低饱和压降和开关损耗;采用针对电力传输应用的6500V/1000A单管HVIGBT。
 

演讲嘉宾-1:三菱电机功率器件制作所总工程师  佐藤克己
 
  在电动汽车应用上,最新的J1系列EV T-PM模块,采用Pin-fin底板的六合一汽车用IGBT模块;应用低损耗的第7代IGBT硅片技术;与传统结构相比,热阻降低40%,安装面积减小40%;适合体积紧凑的电动车
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