Vishay大幅扩充 E系列650V N沟道功率MOSFET家族-综合信息-自动化新闻网

Vishay大幅扩充 E系列650V N沟道功率MOSFET家族

新的E系列器件采用Vishay Siliconix超级结技术，导通电阻低至30mΩ、电流达6A～105A，在8种封装中实现低FOM和高功率密度

发布日期：2013-06-04 作者：网络

2013 年 6 月4 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，其E系列器件新增650V功率MOSFET。这些22款新器件采用8种不同封装，将10V下的导通电阻扩展到30mΩ～600mΩ，将最高电流等级扩大为6A～105A。650V E系列MOSFET基于下一代Vishay Siliconix超级结技术，针对可再生能源、工业、照明、电信、消费和计算市场中对输入电压安全裕量有额外要求的应用，Vishay Siliconix拓展了器件的峰值性能指标。

今天推出的器件使E系列的器件总数达到26个。所有E系列器件都具有超低的导通电阻和栅极电荷，可实现极低的传导和开关损耗，可在功率因数校正、服务器和通信电源系统、焊接、不间断电源(UPS)、电池充电器、LED照明、半导体制造设备、适配器和太阳能逆变器等高功率、高性能开关电源中节省能源。

器件针对雪崩和通信模式中承受高能脉冲而设计，通过100%的UIS测试确保极限性能。MOSFET符合RoHS。

器件规格表：

编号	V_(BR)DSS (V)	I_D @ 25C(A)	R_DS(ON)max. @ V_gs = 10 V (mΩ)	Q_g typ @ Vgs = 10V (nC)	封装	样品
SiHP6N65E	650	6	600	21	TO220	已发布
SiHF6N65E	650	6	600	21	TO220F	已发布
SiHB6N65E	650	6	600	21	TO263 (D2PAK)	已发布
SiHD6N65E	650	6	600	21	TO252 (DPAK)	已发布
SiHU6N65E	650	6	600	21	TO251 (IPAK)	已发布
SiHP12N65E	650	12	380	33	TO220	可供货
SiHB12N65E	650	12	380	33	TO263 (D2PAK)	可供货
SiHF12N65E	650	12	380	33	TO220F	可供货
SiHP15N65E	650	15	280	44	TO220	已发布
SiHB15N65E	650	15	280	44	TO263 (D2PAK)	已发布
SiHF15N65E	650	15	280	44	TO220F	已发布
SiHP22N65E	650	22	180	65	TO220	已发布
SiHF22N65E	650	22	180	65	TO220F	已发布
SiHB22N65E	650	22	180	65	TO263 (D2PAK)	已发布
SiHG22N65E	650	22	180	65	TO247AC	已发布
SiHP24N65E	650	24	150	83	TO220	已发布
SiHB24N65E	650	24	150	83	TO263 (D2PAK)	已发布
SiHG24N65E	650	24	150	83	TO247AC	已发布
SiHP28N65E	650	28	125	99	TO220	五月
SiHG28N65E	650	28	125	99	TO247AC	五月
SiHW28N65E	650	28	125	99	TO247AD	五月
SiHG47N65E	650	47	70	178	TO247AC	可供货
SiHW47N65E	650	47	70	178	TO247AD	可供货
SiHG64N65E	650	65	51	244	TO247AC	五月
SiHW64N65E	650	65	51	244	TO247AD	五月
SiHS105N65E	650	105	30	405	Super TO247	五月

新款功率MOSFET现可提供样品，量产供货周期为十六周到十七周。

VISHAY简介

Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1000 强企业”，是全球分立半导体（二极管、MOSFET和红外光电器件）和无源电子元件（电阻器、电感器、电容器）的最大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。凭借产品创新、成功的收购战略，以及“一站式”服务使Vishay成为了全球业界领先者。