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Microchip推出碳化硅功率解决方案 取代硅IGBT

发布日期:2021-08-02 浏览次数:1681 来源:中关村在线作者:网络
   如今为商用车辆推进系统提供动力的节能充电系统,以及辅助电源系统、太阳能逆变器、固态变压器和其他交通和工业应用都依赖于高压开关电源设备。为了满足这些需求,MicrochipTechnology近日宣布扩大其碳化硅产品组合,推出一系列高效率、高可靠性的1700V碳化硅MOSFET裸片、分立器件和电源模块。

  1700VMOSFET裸片、分立器件和功率模块器件等碳化硅产品阵容扩大了设计人员对效率和功率密度的选择范围

  Microchip的1700V碳化硅技术是硅IGBT的替代产品。由于硅IGBT的损耗问题限制了开关频率,之前的技术要求设计人员在性能上做出妥协并使用复杂的拓扑结构。此外,电力电子系统的尺寸和重量因变压器而变得臃肿,只有通过提高开关频率才能减小尺寸。

  新推出的碳化硅系列产品使工程师能够舍弃IGBT,转而使用零件数量更少、效率更高、控制方案更简单的两级拓扑结构。在没有开关限制的情况下,功率转换单元的尺寸和重量可以大大减少,从而腾出空间来建立更多充电站,提供更多空间搭载付费乘客和货物,或者延长重型车辆、电动巴士和其他电池驱动商业车辆的续航能力和运行时间,所有这些都可以降低整体系统成本。

  Microchip分立产品业务部副总裁LeonGross表示:“交通运输领域的系统开发人员不断被要求在无法变大的车辆中容纳更多的人和货物。帮助实现这一目标的最佳方式之一,是通过利用高压碳化硅功率器件,大幅降低电源转换设备的尺寸和重量。在交通运输行业的应用也可为许多其他行业应用带来类似的好处。”

  新产品特点包括栅极氧化物稳定性,Microchip在重复非钳位感应开关(R-UIS)测试中观察到,即使延长到10万个脉冲之后,阈值电压也没有发生漂移。R-UIS测试还显示了出色的雪崩耐固性和参数稳定性,以及栅极氧化物的稳定性,实现了在系统使用寿命内的可靠运行。抗退化体二极管利用碳化硅MOSFET可以消除对外部二极管的需要。与IGBT相当的短路耐受能力可经受有害的电瞬变。在结温0至175摄氏度范围内,相比对温度更敏感的碳化硅MOSFET,较平坦的RDS(on)曲线使电力系统能够更稳定地运行。

  Microchip通过AgileSwitch数字可编程门驱动器系列和各种分立和功率模块,以标准和可定制的形式简化了技术的采用。这些栅极驱动器有助于加快碳化硅从实验到生产的开发速度。

  Microchip的其他碳化硅产品包括700V和1200V的MOSFET和肖特基势垒二极管系列,提供裸片和各种分立和功率模块封装。Microchip将内部碳化硅裸片生产与低电感功率封装和数字可编程门驱动器相结合,使设计人员能够制造出最高效、紧凑和可靠的最终产品。

  Microchip整体系统解决方案还包括单片机(MCU)、模拟和MCU外设以及通信、无线和安全技术产品。

  开发工具

  与Microchip的MPLABMindi模拟仿真器兼容的碳化硅SPICE仿真模型为系统开发人员提供了在投入硬件设计之前模拟开关特性的资源。智能配置工具(ICT)使设计人员能够为Microchip的AgileSwitch系列数字可编程栅极驱动器的高效碳化硅栅极驱动器建模。

  供货

  Microchip的1700V碳化硅MOSFET裸片、分立器件和电源模块现可订购,有多种封装选项可供选择。
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