据悉，韩国政府在该项目上投资总计836亿韩元。项目始于2017年，计划于2023年结束，旨在生产基于硅和化合物的功率半导体。
项目开始两年后，韩国政府与釜山国立大学成立了一个工作组，并在该大学生产了6英寸SiC晶圆原型。
据BusinessKorea，从2019年到今年5月，参与该项目的公司销售额达到390亿韩元。其中一家公司开发了一种用于物联网设备的高效电源管理芯片，在此期间的销售额为210亿韩元。另一家从汽车转向芯片研究的公司与国内一家汽车制造商签订了供应合同，销售额约为80亿韩元。
MOTIE表示，“在这些成就的基础上，这些公司正在吸引越来越多的SiC投资，扩大SiC芯片和模块的使用，并改进与GaN相关的工艺技术等等，以提高他们在化合物半导体行业的增长潜力。”
近年来，韩国在第三代半导体领域动作频频。（点击了解韩国第三代半导体破局之路）
今年4月，韩国政府召开会议，发表了“下一代功率半导体技术开发及产能扩充方案”，宣布将正式培育下一代功率半导体技术，到2025年开发5种以上的商业化产品，并在国内建设6~8英寸代工厂。
5月，韩国公开表示，在未来10年斥资约510万亿韩元(约3万亿人民币），建设全球最大芯片制造基地。
同月，韩国宣布启动“X-band GaN半导体集成电路”国产化课题。韩国无线通信设备半导体企业RFHIC（艾尔福）被选定为课题牵头企业，SK Siltron将参与SiC基板/GaN树脂的制作，LIG nex1负责系统的验证，韩国电子通信研究院(ETRI)的半导体工厂将被用来进行GaN MMIC的制作。
