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小蛮腰、长胳膊，酷炫的眼睛、灵活的双手9月10日，珞石（山东）机器人集团股份有限公司（以下简称珞石机器人），一个新面孔出现[查看全文]

9月16日，美国人形机器人新锐企业Figure宣布完成超10亿美元的C轮融资，投后估值达到390亿美元，比B轮融资后的26亿美元估值大幅攀[查看全文]

栅极正向电压增大，对应的漏源极通态压降变小。反之，如果栅极正向电压低于推荐值，通态压降会增加，通态损耗就会增大[查看全文]

下面以采用光耦隔离的基本栅极驱动电路（图1）为例来说明。[查看全文]

SiC MOSFET的阈值电压（VGS(th)）通常低于Si IGBT。降低阈值电压可降低SiC MOSFET的通态电阻。驱动SiC MOSFET需要对栅极施加[查看全文]

图1显示了SiC MOSFET的正向通态特性。由于MOSFET是单极性器件，没有内建电势，所以在低电流区域，SiC MOSFET的通态压降明显低[查看全文]

SBD（肖特基势垒二极管）是一种利用金属和半导体接触，在接触处形成势垒，具有整流功能的器件。Si SBD耐压一般在200V以下，而[查看全文]

　　近日，一汽丰田汽车有限公司生技部部长岡井智彦率领冲压、焊装、总装团队访问欧姆龙自动化展厅和工厂。基于双方长期良好的合[查看全文]

　　近日，深圳市政协主席林洁一行莅临英威腾，就重点提案《关于强化民营企业科技创新主体地位，打造一流创新创业生态体系的建议[查看全文]

　　近日，东方日立为某公司打造的高压变频器成功通过验收并发货。该设备将应用于其丙烯压缩机汽改电升级项目，为其丁基橡胶生[查看全文]

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