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创新功率器件构建可持续未来 ——三菱电机即将亮相PCIM Asia 2025

发布日期:2025-09-04 来源:三菱电机半导体作者:网络
 “双碳”战略目标驱动下,功率半导体正成为高能效家电与新能源汽车发展的核心引擎。2025年9月,三菱电机将携最新一代功率半导体产品亮相 PCIM Asia 2025(上海),全面展示其在SiC MOSFETIGBT等前沿器件上的创新成果,并于 9月24日举办三菱电机半导体媒体见面会,与行业共同探讨功率半导体技术如何助力绿色未来。

本届PCIM展会上,三菱电机将重点展出三大明星产品:

面向大容量家电的SiC SLIMDIP™ 功率半导体模块

作为三菱电机首款面向家电SiC SLIMDIP™模块,该系列包括 全SiC DIPIPM™与混合SiC DIPIPM™ 两类创新设计:

· SiC SLIMDIP™
内置专为SLIMDIP™封装优化的SiC-MOSFET芯片,能够在家电应用中显著提升输出功率与能效。该方案有效降低功率损耗,为空调等家电提供高效解决方案。

· 混合SiC SLIMDIP™
通过同一IC驱动并联的SiC MOSFET(低电流下具备低导通电压特性)和Si RC-IGBT(高电流下保持优异导通特性),实现低功率损耗与稳定性能兼顾。
这一创新架构,使家电厂商在追求节能的同时,也能保持高可靠性与成本竞争力。

该系列产品为家电节能升级注入全新动力,进一步推动家庭用能与社会能源的绿色转型。

 

8代IGBT 模块

三菱电机全新推出的第8代IGBT模块,重点突破在于更高功率密度、更低损耗、更优散热:

· 技术创新

采用分段式沟槽栅结构,降低导通损耗;

芯片背面等离子体层结构减少厚度,进一步优化开关特性;

扩大芯片面积,有效降低结壳热阻。

· 性能提升

8代LV100封装产品:由第7代的1200V/1200A提升至 1200V/1800A;

8代NX封装规划开发5款不同规格产品,包括 1000A/1200V半桥、800~1000A/1200V Split-NPC(半桥+钳位二极管) 等。

凭借更强的电流承载力与热管理能力,第8代IGBT模块可充分适配高功率场景下的性能需求,将广泛应用于新能源发电、轨道交通、工业电机驱动等高功率场景,为用户提供更高效可靠的解决方案。

 

面向电动汽车的 J3 系列 SiC-MOSFET 功率半导体模块

随着电动汽车对高功率密度与高可靠性需求的提升,三菱电机重磅推出 J3系列SiC-MOSFET功率半导体模块,包括:

· J3-T-PM半桥模块

采用紧凑的第3代T-PM封装,具备高散热能力与低热阻特性;

内置高可靠性SiC-MOSFET芯片,独特沟槽栅设计可抑制Vth漂移与损耗退化;

适配逆变器小型化需求,并可多模块并联,扩展功率范围。

· J3-HEXA 全桥模块

可覆盖电动车不同容量等级的逆变器应用;

支持高功率电驱系统,满足电动车高速运行下电驱系统的稳定性需求。

· J3继电器模块

基于J3-T-PM紧凑型封装和沟槽栅SiC MOSFET的超低损耗,专为电池断路单元及切换/断开回路设计;

提供双向与单向开关两种结构,内置快速短路保护,实现电动车电控系统的高安全性。

J3系列凭借高能量密度与高扩展性,为新能源汽车的轻量化、小型化与高性能提供坚实支撑。

三菱电机期待与您在PCIM Asia 2025相遇,共同见证功率半导体的最新突破!


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