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英飞凌OptiMOS™ 6 80V MOSFET树立领先AI服务器平台DC-DC功率转换效率新标准

发布日期:2025-05-16 来源:英飞凌作者:网络
 2025516, 德国慕尼黑讯】随着图形处理器(GPU)的性能日益强大,对板级电源的要求也越来越高。中间总线转换器(IBC)可将48 V输入电压转换为较低的总线电压,这对于AI数据中心的能效、功率密度和散热性能愈发重要。英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)宣布,其采用紧凑型5x6 mm² 双面散热(DSC)封装的OptiMOS6 80V 功率 MOSFET已被集成到一家领先处理器制造商AI服务器平台的 IBC级。应用测试表明,其效率较之前使用的解决方案提高约 0.4%,相当于每kW负载节省约4.3 W。如果能扩展到系统层面,如服务器机架或整个数据中心,则将带来显著的节能效果。例如在一个拥有2,000个机架的超大规模数据中心推广该方案,每小时可节能1.2 MWh以上,这相当于为25辆小型电动汽车充电所需的能量。该方案能够为数据中心运营商节约成本和减少碳足迹,具有显著的效益。

 

 

OptiMOS™ SuperSO8 DSC WSON-8-2组合

 

由于AI计算需求不断增长市场对高效功率管理解决方案的需求也将随之上升英飞凌的 OptiMOS6 80V 可满足日益增长的能效需求,提供适用于AI服务器 IBC高性能解决方案。MOSFET 采用 5x6 mm² DSC 封装,在硬开关拓扑中拥有更好的开关性能,且通过降低导通损耗提高了能效。此外,这种紧凑型封装可实现双面散热,有助于改善热管理和提高功率密度,这对于空间有限的AI服务器环境至关重要。

 

英飞凌拥有广泛的硅基功率MOSFET产品组合,其中的OptiMOS 6 80V专为满足AI服务器应用对性能、效率和集成度日益增长的需求而设计。该产品组合采用最新MOSFET 技术,并根据不同用途推出了多种型号,所有产品均针对不同的散热设计和系统要求进行了优化。英飞凌硅功率MOSFET达到最高质量和保护标准,因此产品可靠性、系统正常运行时间和电源稳定性均有保障

 

作为功率系统领域的领导者英飞凌掌握全部三种半导体相关材料推出了广泛的Si、碳化硅SiC和氮化镓GaN产品组合。

 

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