此次合作旨在结合双方的技术优势和市场资源，共同推动数据中心、通信网络和工商业等领域的创新与发展。
三安半导体表示，公司以在碳化硅（SiC）等先进半导体领域的深厚积累，将为维谛技术提供高效率、高可靠性的半导体解决方案。这将助力维谛技术在全球范围内提升其电力、制冷和IT基础设施的性能和能效，满足日益增长的通信网络和数据中心需求。
维谛技术将利用其在数据中心和通信基础设施领域的广泛布局，为三安半导体提供市场渠道和应用场景，加速先进半导体技术在关键行业的应用。
双方的合作将不仅限于产品供应，还包括共同研发、市场推广和技术交流等多个层面。三安半导体销售副总张真榕表示：“我们很高兴与维谛技术建立战略合作伙伴关系。通过此次合作，我们能够将三安在半导体材料和器件方面的技术优势，与维谛技术在全球基础设施领域的深厚经验相结合，共同为客户提供更加全面和高效的解决方案。”
维谛技术采购副总翁金林也表达了对合作的期待：“三安半导体的加入，将为我们的客户提供更为先进的半导体技术，帮助他们在数字化转型的道路上走得更远。我们期待与三安半导体携手，共同开创关键基础设施的新时代。”
关于维谛技术
维谛技术（Vertiv, NYSE: VRT, 原艾默生网络能源），是一家全球领先的数字基础设施解决方案提供商，在通信网络、数据中心、商业&工业、新能源等领域拥有70+年的发展历史。产品广泛覆盖了政府、电信、金融、互联网、科教、制造、医疗、交通、能源等客户群体，为客户提供覆盖各个领域关键基础设施的电力、制冷和IT基础设施解决方案和技术服务组合。
关于三安半导体
湖南三安半导体有限责任公司（简称：三安半导体），作为上市公司三安光电股份有限公司（SH600703）的全资子公司，是一家专注于电力电子领域，提供功率半导体产品及代工服务的制造商。拥有国内为数不多的SiC全产业链垂直整合制造服务平台，且产能规模、技术水平在全球同行业中具有竞争力，产品与服务包括SiC MOSFET/二极管、SiC衬底/外延、车规级SiC模块代工等，服务于新能源汽车、光伏储能、充电桩、工控、家电等场景和领域。
延伸阅读：数据中心市场SiC Mosfet的使用
数据中心通常依靠高频功率转换来有效地分配和管理电力，而SiC MOSFET具有低开关损耗和快速开关速度，可实现高频操作。
这一特性减少了功率损耗并提高了整体能效，使 SiC MOSFET 非常适合用于不间断电源 (UPS) 和服务器电源等高频电源转换器。
SiC MOSFET具有低导通电阻和低传导损耗，正好符合数据中心需要精确的配电和调节需求，可以确保服务器和网络设备的可靠和稳定运行，并且降低功耗并提高功率转换效率，有效地处理高电流和高电压，从而能够在数据中心内设计紧凑高效的配电系统。
稳定的电压水平和功率因数校正对于数据中心运营来说是至关重要。
SiC MOSFET可提供出色的电压调节能力，可实现准确且响应迅速的电压控制，它们的快速开关特性有助于有效校正功率因数、降低无功功率并优化数据中心基础设施的电能质量。
由于服务器和网络设备的高功率密度和持续运行，数据中心会产生大量热量。
SiC MOSFET具有出色的导热性能，可实现高效散热并降低电力电子设备的热应力，可提高设备的可靠性和使用寿命，确保在苛刻的热条件下性能稳定。
数据中心消耗大量电力，推动了对节能解决方案的需求。
SiC MOSFET的低开关损耗和高运行效率有助于在数据中心应用中显着节能。
通过减少功率损耗和改善能量转换，SiC MOSFET使数据中心能够实现更高的能源效率并减少碳足迹，从而与可持续发展目标保持一致。
SiC MOSFET为数据中心的设备提供高频运行、低传导损耗、精确的电压调节和热管理能力使它们非常适合数据中心基础设施中的电源转换、分配和调节，通过采用SiC MOSFET可以实现更高的能源效率、更高的功率密度和更高的系统可靠性。
