【2024年3月13日,德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求,而且即使面对严格的高电压和开关频率要求,也不会降低系统可靠性。CoolSiC™ MOSFET具有更高的直流母线电压,可在不增加电流的情况下提高功率。作为市面上第一款击穿电压达到2000 V的碳化硅分立器件,CoolSiC™ MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封装,爬电距离为14 mm,电气间隙为5.4 mm。该半导体器件得益于其较低的开关损耗,适用于太阳能(如组串逆变器)以及储能系统和电动汽车充电应用。
采用TO247-4-4封装的2000 V CoolSiC™ MOSFET
CoolSiC™ MOSFET 2000 V产品系列适用于最高1500 VDC 的高直流母线系统。与 1700 V SiC MOSFET相比,这些器件还能为1500 VDC系统的过压提供更高的裕量。CoolSiC™ MOSFET的基准栅极阈值电压为4.5 V,并且配备了坚固的体二极管来实现硬换向。凭借.XT 连接技术,这些器件可提供一流的散热性能,以及高防潮性。
除了2000 V CoolSiC™ MOSFET之外,英飞凌很快还将推出配套的CoolSiC™二极管:首先将于 2024年第三季度推出采用 TO-247PLUS 4 引脚封装的 2000 V 二极管产品组合,随后将于 2024年第四季度推出采用 TO-247-2 封装的 2000 V CoolSiC™二极管产品组合。这些二极管非常适合太阳能应用。此外,英飞凌还提供与之匹配的栅极驱动器产品组合。
供货情况
CoolSiC™ MOSFET 2000 V产品系列现已上市。另外,英飞凌还提供相应的评估板EVAL-COOLSIC™-2KVHCC。开发者可以将该评估板作为一个精确的通用测试平台,通过双脉冲或连续PWM操作来评估所有CoolSiC™ MOSFET 和2000 V二极管以及 EiceDRIVER™ 紧凑型单通道隔离栅极驱动器1ED31xx 产品系列。更多信息,敬请访问 www.infineon.com/coolsic-mosfet-discretes