近期，天岳先进在投资者互动平台表示，公司在上海临港工厂已经于2023年5月进入6英寸导电型产品交付阶段，并获得了英飞凌、博世等国际知名企业的合作。公司8英寸导电型产品也已具备量产能力。
随着产品交付的顺利进行，临港工厂正处于产能产量将持续爬坡阶段。得益于公司充足的订单需求和广泛的国内外客户基础，临港工厂第一阶段30万片的产能产量目标将比原计划更早达成。
6英寸产能将扩大至96万片/年
天岳先进在上海临港扩建SiC项目，是由其全资子公司天岳半导体主导。5月消息，上海临港新片区管理委员会对外公示了《关于“天岳半导体碳化硅半导体材料项目（调整）”》的环评审批意见。
根据环评审批意见公示，天岳半导体将通过优化生产工艺、调整生产设备、原辅材料和公辅环保设施等方式，提高产品质量和产量。调整后，6英寸SiC衬底的生产规模将扩大至每年96万片。
据了解，上海临港项目于2021年确立，总投资25亿元。彼时，天岳先进正在推进上市进程，其计划募资20亿元投向临港项目的建设，扩充SiC半导体材料产能。该项目已于2022年3月成功封顶，并在最近开始交付。
值得注意的是，按照之前的规划，临港项目全部达产后，SiC衬底的产能约为30万片/年。而通过此次的产能调整，临港项目产能将扩大220%，达96万片/年。
订单激增
天岳不断扩产的压力主要来自订单量的激增。去年7月，天岳先进表示与某客户签订了一份长期协议，约定2023年至2025年公司及上海天岳向合同对方销售价值13.93亿元的6英寸导电型碳化硅衬底产品。
今年4月，天岳先进又在财报中披露，已经与博世集团签署长期协议。进入5月，在天岳先进上海临港SiC工厂正式交付的同一天，天岳先进又宣布与英飞凌签订了一项新的衬底和晶棒供应协议，将为英飞凌提供6英寸/8英寸SiC材料，其供应量预计将占到英飞凌长期需求量两位数份额。
由于订单的激增，天岳先进为了保证订单交付以及产能提升的需要，一方面增加了原材料的储备规模，另一方面也在积极探索新的技术。
液相法制备SiC技术
在本月初上海的Semicon展会中，天岳先进展示了其最新的液相法制备SiC技术。
该技术是选用石墨材料作为坩埚，同时将其作为碳源，在石墨坩埚中填充硅熔体，将SiC晶种放置在石墨坩埚顶部，与熔体接触，控制晶种温度略低于熔体温度，利用温度梯度作为生长驱动力来实现晶体生长。生长一般在惰性气体环境中进行（如Ar），生长温度在1750-2100℃之间。为提高晶体生长速率，在生长过程中可调节石墨坩埚和种子晶体旋转方向及旋转速度。
通过液相法获得均匀且高品质晶体需要对温场及流场进行控制，具有较高技术难度，天岳先进在该技术上布局多年。
液相法突破了碳化硅单晶高质量生长界面控制和缺陷控制难题，能够制造出了低缺陷的 8 英寸晶体。除了产品尺寸外，在大尺寸单晶高效制备方面，这项技术制备的晶体厚度已突破 60mm。
