那么，上面瞬态抑制二极管的一系列变化相信就能够明白，他的这种特性接在电路的IC之前，那么泄放高电流和高电压的方式，可以保护后面的IC或者线路不被异常的高压所损坏（比如有些IC只能承受5V，你忽然来个10V是不是就被烧了，那么如果在前面加一个5v的瞬态抑制二极管就可以避免IC被烧坏）。
当异常的高压消失过后，电路进入到正常工作状态的时候，瞬态抑制二极管又恢复到高阻态（就是开路那种效果，但是只是比喻）。
前面说了他的工作原理，下面里阳半导体再说说瞬态抑制二极管的选型原则：
第一，首先确定VRWM大于等于电路的正常工作电压，确定瞬态抑制二极管的接入不会影响到电路的正常工作。
第二，VBR不能小于电路的最大允许工作电压，否则TVS进入雪崩状态的时候，漏电流上升，影响电路工作。
第三，最大钳位电压VC必需小于电路的最大允许安全电压，即在VC下，不会损坏电路中的任何元件。
第四，PM必需大于电路内部或外部可能出现的峰值脉冲功率。
第四，PM必需大于电路内部或外部可能出现的峰值脉冲功率。
