士兰微推出的Mos、IGBT和SiC Mos产品主要匹配6.6kW和11kW车载充电机产品，为其提供完整的配套功率半导体解决方案。
6.6kW OBC配套功率半导体解决方案
士兰为6.6kW OBC前级PFC整流快管提供基于第五代场截止工艺制作而成650V IGBT方案，有75A和50A两种电流规格可以选择。其中75A的电流规格SGTQ75V65FDB1P7适用于40kHz以下的开关频率，SGTQ75V65FDB2P7优化了并联二极管反向恢复特性，适用于40kHz~60kHz的开关频率。PFC整流管提供650V 75A IGBT方案，SGTQ75V65LDB1P7因其二极管低Vf特性可以满足整机更高效率的要求。其中50A的电流规格SGTQ50V65FDB2P7适用于60kHz以下的开关频率，Hybrid IGBT SGTQ50V65UFCR3P7合封Silan自研SiC二极管，拥有更低的开关损耗，支持80kHz以上的开关频率，有助于提升整机效率与功率密度。
士兰为6.6kW OBC后级DCDC原边提供两套解决方案。Hybrid IGBT SGTQ50V65UFCR3P7提供更具性价比的方案，同时也提供基于士兰自研超结Mos工艺提供650V 41mohm SVSQ65R041P7HD4，以满足整机更高性能、更高效率的要求。
士兰为6.6kW OBC后级DCDC副边整流提供两套解决方案。Hybrid IGBT SGTQ50V65UFCR3P7提供高开关频率的方案，IGBT SGTQ75V65FDB2P7提供更具性价比的方案。同时，士兰提供超结Mos SVSQ65R041P7HD4来满足整机更高性能、更高效率的要求。
11kW OBC配套功率半导体解决方案
士兰为11kW OBC前级PFC整流为满足800V母线电压的要求提供1200V 40mohm SiC Mos SCDP120R040NP4B和1200V 80mohm SiC Mos SCDP120R080NP4B，依据OBC整机散热能力与效率要求来选择合适的规格。SiC Mos相比于Si Mos有更快的开关速度，TO247-4封装可以提供更强的抗干扰性能。
士兰为11kW OBC后级DCDC原边为满足800V母线电压的要求提供1200V 80mohm SiC Mos SCDP120R080NP4B，满足OBC整机对性能与成本的双重需求。
士兰为11kW OBC后级DCDC副边整流提供适配不同电池组电压的方案。为450V高压电池组提供更具性价比的650V 75A IGBT SGTQ75V65FDB2P7。为800V高压电池组提供1200V 80mohm SiC Mos SCDP120R080NP4B，满足更高功率等级与功率密度的需求。
高压DCDC配套功率半导体解决方案
士兰为高压DCDC电路原边提供450V和800V两种电池组电压的解决方案。为450V电池组电压提供超结Mos SVSQ65R110P7HD4，满足整车2~3kW的功率等级与体积成本需求。为800V电池组电压提供SiC Mos SCDP120R080NP4B，满足更高电池组电压的要求，对高压DCDC功率等级提供了更大的可扩展性。
士兰为高压DCDC电路副边提供100V 2.3mohm SGT Mos SVGQ102R3NS6，100V耐压有利于兼容不同控制策略，低导通电阻可以减少器件的数量。辅助电池防反接开关管提供40V 1.3mohm SGT Mos SVGQ041R3NL5V-2HS，低导通电阻有利于减少器件数量，提高整机效率。
在新能源汽车迅速发展与国产半导体替代两大浪潮下，士兰功率半导体可以为车载充电机提供更可靠、更具性价比且更高性能的完整解决方案。在稳产保供的大方针下，全力以赴促进客户发展和行业发展。
