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士兰微:SiC模块即将向客户送样 先行投入加速推进SiC器件生产线建设

发布日期:2022-10-24 来源:东方财富网作者:网络
10月23日晚间,杭州士兰微电子股份有限公司(股票简称:士兰微,股票代码:600460)公告,公司目前已完成第一代平面栅SiC-MOSFET技术的开发,性能指标达到业内同类器件结构的先进水平;公司已将SiC-MOSFET芯片封装到汽车主驱功率模块上,即将向客户送样。同时,士兰明镓SiC功率器件生产线已实现初步通线,项目取得阶段性进展,目标在今年年底形成月产2000片6英寸SiC芯片生产能力。为加速推进项目,公司在募集资金尚未到位之间,使用自有资金先行采购部分本项目急需或交货周期长的设备和系统。
 
SiC功率器件生产线年底形成月产2000片生产能力 SiC模块即将送样
 
公告显示,该项目系公司2022年非公开发行募投项目之一的“SiC功率器件生产线建设项目”(以下简称:本项目),实施主体为厦门士兰明镓化合物半导体有限公司(以下简称:士兰明镓),至公告日上市公司持有士兰明镓34.72%股份。项目于今年7月正式启动,计划投资15亿元,建设一条6吋SiC(碳化硅)功率器件芯片生产线,最终形成年产14.4万片6吋SiC功率器件芯片的产能,其中SiC-MOSFET芯片12万片/年,SiC-SBD芯片2.4万片/年。
 
公司表示,近期士兰明镓SiC功率器件生产线已实现初步通线,首个SiC器件芯片已投片成功,首批投片产品各项参数指标达到设计要求,项目取得了阶段性进展。士兰明镓正在加快后续设备的安装、调试,目标是在今年年底形成月产2000片6英寸SiC芯片的生产能力。公司目前已完成第一代平面栅SiC-MOSFET技术的开发,性能指标达到业内同类器件结构的先进水平。公司已将SiC-MOSFET芯片封装到汽车主驱功率模块上,参数指标较好,继续完成评测,即将向客户送样。
 
SiC器件应用序幕徐徐拉开国产替代趋势预期明确
 
作为第三代半导体材料的典型代表,SiC具有宽禁带宽度、高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及更高的抗辐射能力,是高温、高压、大功率应用场合下极为理想的半导体器件材料,主要应用领域包括新能源汽车光伏以及轨交牵引车辆。根据安森美、华为等企业预测,在高电压等级下,SiC器件的价格与硅基的差距更小,加之SiC器件由于减少散热组件和缩小体积带来的系统成本降低,SiC器件率先在高电压场景下加速渗透,并有望在2025年前后价格与硅基持平。
 
在新能源汽车领域,SiC功率半导体主要用于驱动和控制电机的逆变器、车载DC/DC转换器、车载充电器(OBC)等。车载充电器和充电桩使用SiC器件后将充分发挥高频、高温和高压三方面的优势,可实现充电系统高效化、小型化和高可靠性。
 
资料显示,特斯拉Model 3主逆变器首次采用全SiC功率器件开行业先河。为了缓解“充电焦虑”,新能源汽车整车构架向800V等更高压方向发展,自2021年底以来包括比亚迪、小鹏等国内外20多家整车厂已经发布或即将发布800V平台产品,推动2022年成为“800V元年”。TrendForce预测,随着电动汽车渗透率不断提升,以及整车构架向800V演进,到2025年电动汽车市场对6吋SiC晶圆的需求将达到169万片。据Yole预测,2025年新能源汽车市场SiC功率半导体规模达到15.53亿美元,2019-2025年均复合增长率达到38%。
 
目前SiC器件主要供应商为传统海外IDM(设计制造一体化)大厂,其中ST意法、英飞凌、Wolfspeed、罗姆、安森美5家企业占据全球约90%的市场份额,并在近年来相继推出SiC器件扩产计划。2022下半年以来,半导体产业的发展逻辑发生了重大转变,全球化分工合作前景在逐渐降低,全产业链自主可控预计会超越产业周期,成为未来国产半导体产业的发展主线。
 
针对车规级半导体行业现状,基于公司IDM模式的优势,士兰微于10月14日披露非公开发行预案,拟募资65亿元用于“年产36万片12英寸芯片生产线项目”、“SiC功率器件生产线建设项目”、“汽车半导体封装项目(一期)”等车规级半导体产品线建设。(CIS)
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