富士电机株式会社(法人代表董事兼社长:北泽通宏,总部:东京都品川区)推出的“第2代分立式SiC-SBD※系列”功率半导体产品已开始上市发售,特此通知。该产品将有助于推动数据中心和通信基站等实现节电。
1.背景
随着DX(数字化转型)的启动、远程办公的日益普及以及互联网服务得到越来越广泛的应用,网络通信量与日俱增,数据中心和通信基站的设备投资加速。与此同时,电源设备的需求也在不断増加,电源设备当前的市场规模约为3,000亿日元,预计到2028年度将会增长至约4,500亿日元※。
数据中心和通信基站的设备运转需要大量的直流电力,因此电源设备中一般配备有功率半导体(二极管),以便将电力公司供应的交流电高效转换(整流)为直流电。
功率半导体在通电时会产生电力损耗(恒定损耗)。此次,我们针对数据中心和通信基站等的电源设备,开发并推出了“第2代分立式SiC-SBD系列”产品,该产品可通过降低电路内的恒定损耗来帮助设备实现节电。
我们将面向全球推广该产品,希望通过推进设备的节电为建设脱碳社会尽一份力。
※本公司根据IHS公司的资料进行的推算
2.产品特点
将电路板的厚度缩减至三分之一,实现低损耗
要想降低功率半导体的电力损耗,方法之一是将作为元件的电路板加工得更薄,以缩短电流的传导距离。与本公司老款产品第1代SiC-SBD系列相比,本产品所配备的SiC(碳化硅)电路板的厚度已降至其三分之一左右,同时,通过调整芯片结构,使恒定损耗降低了16%※。我们运用公司特有的加工技术降低电路板厚度,从而打造出行业最高水平的薄度。此外,该产品还提高了对雷击引起的大电流的抵抗能力。这些对于提高其搭载设备的节能以及可靠性将会起到推动作用。
※额定电压650V产品
3.主要规格