又一条IGBT生产线下半年将投产

据了解，IGBT模块产业化项目是国电南瑞发展重点之一。2018年国电南瑞已完成1200伏/50安IGBT、FRD流片。2019年11月，国电南瑞与全球能源互联网研究院有限公司合作，控股组建南瑞联研功率半导体有限责任公司。当时国电南瑞公告称，其中，国电南瑞以“IGBT模块产业化项目”的部分募集资金5.59亿元出资，持股比例为69.83%；联研院以技术作价出资2.41亿元，持股比例为30.17%。

2020年，国电南瑞推进南瑞联研科技成果转化，加快IGBT封装测试生产线建设和自主3300V IGBT芯片模块研发及工程应用。当年9月，国电南瑞在互动平台表示，公司IGBT项目正处于芯片设计研发、模块封装测试及生产线建设阶段。

南瑞联研半导体有限责任公司是国家电网公司发展功率半导体产业的统一平台，拥有功率半导体芯片设计、芯片制造、封装测试、工程应用的全流程研发及产业化能力。依托南瑞集团和全球能源互联网研究院技术产业联合优势，在电力以及其他领域开展功率半导体器件研发和制造，提供功率半导体芯片及其应用的整体解决方案。

围绕“三型两网”发展战略需求，以“推动能源科技进步，促进经济社会发展”为企业使命，以“立足国网，成为电力行业功率半导体器件的引领者”，“面向社会，成为推进半导体可持续发展的解决方案提供者”，“走向国际，成为具有国际竞争力的世界一流功率半导体器件供应商”为企业定位，在交直流柔性输电、新能源发电、电能质量治理、用电及节能等领域开展功率半导体器件自主设计，并逐步拓展到电动汽车、工业控制等专业领域，实现功率半导体器件的国产化替代。

南瑞联研半导体公司建立了一支以高端功率半导体专家为带头人，以具备行业背景的资深工程师为骨干，专业齐全、与应用深度融合，的顶尖团队。高起点推进国产功率半导体芯片及模块的技术研发、产品研制和标准制定，承担国家02重大专项、国家重点研发计划项目等科技项目40多项，自主研发了1200V至4500V的IGBT、FRD芯片及模块，拥有授权专利20多项，1200V/600A半桥模块达到国际先进水平。顺应“两网”融合发展趋势，在深刻理解电网专业装备研发及应用需求的基础上，基于 IGBT等功率半导体器件，自主研发了国际领先的柔性直流换流阀、世界首套统一潮流控制器（UPFC）、国内首个虚拟同步机等电网关键装备。

南瑞联研半导体公司建立了涵盖研发、生产、销售市场、技术支持等在内的完整产业链，建成了包括功率器件动静态参数测试平台、可靠性测试平台和极限能力测试平台的电力系统电力电子器件实验室及中试线，拥有国内技术领先的高能离子注入机和激光退火设备，形成了年产15000片硅晶圆和5000只IGBT模块加工能力。通过上市公司募集16.4亿元IGBT产业发展资金，投资近2亿元建设IGBT封装测试生产线，建成后将形成年产20万片IGBT模块生产能力，整体技术达到国际先进水平。