露笑科技此前发布非公开发行预案显示，本次非公开发行拟募集资金总额不超过10亿元（含10亿元），发行股票数量不超过4.53亿股（含本数），不超过本次非公开发行前总股本的30%。
本次定增募投项目包括“新建碳化硅衬底片产业化项目”、“碳化硅研发中心项目”和“偿还银行贷款”。其中，新建碳化硅衬底片产业化项目拟投入6.5亿元，生产碳化硅衬底片等产品，以满足国内外快速增长的6英寸及以上尺寸级别的碳化硅衬底片市场需求。
据悉，第三代半导体是“超越摩尔定律”的重要发展内容。碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料，具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和漂移速度以及更高的抗辐射能力，是制造高温、高频、大功率半导体器件的理想材料，是未来半导体产业发展的重要方向，将成为支撑5G网络建设、新能源汽车及充电桩、特高压输变电及轨道交通等“新基建”的关键核心材料。
据记者了解，露笑科技从2018年下半年开始组建碳化硅晶体生长炉制造攻关小组，2019年7月份成功研制出晶体生长炉并开始批量销售；2020年9月份与合肥市长丰县签署碳化硅产业园投资项目，11月28日正式开工建设。
目前全球碳化硅市场基本被在国外企业所垄断。露笑科技方面称，拟以本次定增为契机，规模化生产6英寸半绝缘及导电碳化硅衬底片，拓展碳化硅在5GGaN-on-SiC高电子迁移率晶体管（HEMT）、SiC肖特基二极管（SBD）、SiC金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）等元器件、芯片方面的应用。
