SiC性能优良但短期难替代IGBT,新能源汽车普及在即,有望带动车规级IGBT放量增长。IGBT技术不断革新,已经迭代7代,朝着“小尺寸、高功率、低损耗”方向发展。SiCMOSFET虽性能优良,但在成本与可靠性上不具优势,故目前全球产业化尚处起步阶段。新能源汽车行业临近拐点之年,高端车与低端车双双加速放量,预计2025年销量有望达505万辆,在新能源汽车等下游应用市场蓬勃发展的拉动下,IGBT供不应求,IGBT行业将持续向好发展,我们预计国内车规级IGBT2025年市场空间为152亿元,2019-2025年CAGR约27%。
国内龙头突围IGBT市场,有望通过技术升级和低价换量实现进口替代。国内车规级IGBT行业呈寡头垄断格局,英飞凌占近六成份额,比亚迪破局而入,市场份额为18%,国产化程度比较低。技术上,英飞凌、三菱等国际龙头领先国内龙头1代左右,且实现了产品低、中、高压全覆盖;成本上,低价材料叠加高效生产,使得国际龙头成本占优,再考虑到其品牌高定价,故毛利率水平高于国内龙头。目前国内IGBT对外依存度超90%,进口替代迫在眉睫,以比亚迪、斯达半导为代表的国内龙头正在加速推进IGBT国产化。未来在与国际龙头竞争中,国内龙头有望在技术与成本上双管齐下,一方面加快IGBT技术的自主研发,缩小与国际水平差距,另一方面扩产降本,以更低价格换取更多市场,真正实现核“芯”自主可控。
