电动汽车市场增长带动关键功率半导体组件和模块需求，攸关变频、变压、变流、功率放大、功率管理等功能，也攸关电动汽车快速充电性能，其中以IGBT和第三代半导体碳化硅（SiC）芯片和模块最为重要。
产业人士指出，IGBT芯片制造以硅芯片为基础，在电动汽车主要应用在电动控制系统、车载空调系统、充电桩逆变器等3个子系统，约占整车成本的7%至10%。而SiC模块目前主要是电动汽车大厂特斯拉（Tesla）带动采用，导入主驱逆变器和车载充电器应用，不过其他电动汽车厂采用SiC模块时间，最快也要到2023年。
从市场规模来看，法人引述研调机构预估2022年全球IGBT市场可到60亿美元，中国IGBT市场预估2023年可到人民币290.8亿元；去年全球SiC市场规模不到20亿美元。
不过IGBT芯片组件主要由欧洲和日本大厂主导，其中欧洲英飞凌（Infineon）全球市场占有率超过32%，日本富士电机（FujiElectric）占比近12%，欧洲安森美半导体（ONSemiconductor）近8%，另外包括日本东芝（Toshiba）、三菱电机（Mitsubishi）、欧洲意法半导体（STM）等。
IGBT模块也由英飞凌、三菱和富士电机等三大厂主导，其中英飞凌市场占有率超过35%，三大厂市场占有率达58%。中国厂商也正急起直追，包括斯达半导体、中车时代电气、威科电子、比亚迪等积极布局电动汽车用IGBT模块。
台湾厂商积极创建电动汽车用IGBT自主供应链，例如二极管厂朋程在电动汽车用IGBT模块已有初步成果，预期第4季送样客户项目，10月提功能验证和信赖性验证，预估明年底首样机型小量出货，最快明年底开始贡献营收。
鸿海集团在出货制造高电压高电流IGBT模块，已有7年至8年经验，主要应用于马达控制，鸿海转投资夏普（Sharp）在IGBT模块也有制造能力。
导线架厂界霖已切入电动汽车和油电混合车用IGBT模块，客户包括日系和欧系车厂，应用在车用和充电桩领域；艾姆勒车电（2241）也积极开发电动汽车IGBT芯片散热模块；保护组件厂聚鼎（6224）子公司聚烨科技也布局电动汽车IGBT模块散热应用。
不过产业人士指出，电动汽车用IGBT芯片制造以12英寸芯片为主，英飞凌和Cree等大厂已量产，台厂IGBT芯片以6英寸晶背产能为主，应用在电冰箱等商用领域，至于台厂在IGBT芯片发展进度，还需要1年至1.5年的时间才可浮出台面。
比较IGBT模块和SiC模块功能效益，产业人士分析，SiC模块可让电动汽车加速性能佳、充满电后里程数较远、充电速度快且导电时间短，且散热效益可差3倍至5倍，但价格差距达10倍至15倍，因此SiC模块主要应用在高里程高端的电动汽车款，预期短期未来5年电动汽车用功率模块仍是以IGBT模块为主。
