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瞻芯电子完成过亿元融资,第三代半导体有望弯道超车

发布日期:2020-10-28 浏览次数:961 来源:中自网
  功率半导体是电力转换的关键器件,广泛应用于工业变频器光伏逆变器、风电变频器、新能源汽车电控系统以及变频家电、消费电子等众多领域。近年来,国产代替的呼声日益高涨,发展第三代半导体或将写进十四五计划,国内厂商掀起了一轮布局投资热潮。

  近日,碳化硅芯片公司瞻芯电子在上海临港举办新品发布会并公布了最新融资进展。瞻芯电子已于今年完成过亿元人民币融资,投资方包括临芯投资、金浦投资以及几家重要产业协同方,青桐资本担任财务顾问。

  瞻芯电子2017年成立于上海自贸区临港新片区,是一家聚焦于碳化硅(SiC)半导体领域的高科技芯片公司,拥有一支经验丰富的SiC工艺及器件设计、SiC MOSFET驱动芯片设计、电力电子系统应用、市场推广和产品运营等方面高素质核心团队。

  第三代半导体有望弯道超车

  我国半导体行业落后欧美发达国家已久,很难在短时间内完成进口替代,但是第三代半导体的发展处于全球起步阶段,目前尚未形成专利标准和行业壁垒,从我国技术水平来看,已经具备自主研发第三代半导体的能力,是我国在半导体领域实现直到超车的最佳时机。

  实际上,自成立后瞻芯电子短短几年时间取得了重大突破。2018年5月1日,第一片国产6英寸SiC MOSFET晶圆在上海瞻芯诞生,2019年9月,瞻芯电子推出已经通过JEDEC认证的碳化硅MOSFET栅极驱动芯片系列产品;2020年7月,瞻芯电子推出超越工规级的碳化硅二极管产品系列。

  此外,上海瞻芯电子在2020年5月6日申请了一项名为“半导体器件结构及其形成方法”的发明专利,该项专利中所提供的半导体结构和制备方法,相较于同种器件而言,电厂强度大幅度降低,提高了半导体器件栅氧化层的可靠性。同时栅漏之间的电容也被大幅降低,从而极大地减少了开关功率的损耗。

  瞻芯电子是麦格米特的参股公司,今年9月2日,麦格米特在互动平台上透露瞻芯电子的技研进展,“目前已经完成了国内第一个基于6英寸碳化硅晶圆的SiCMOSFET和SBD工艺平台开发,预计9月份还将有一款碳化硅MOSFET器件通过工业级可靠性认证,这也将是填补国内空白的产品。”

  1200V碳化硅产品填补国内空白

  2020年10月16日,瞻芯电子产品发布会在上海举行,发布工规级基于6英寸晶圆的SiC MOSFET产品,瞻芯电子的第三代半导体功率器件已经在麦格米特的充电桩模块上成功运行,发布首款量产。

  基于6英寸晶圆通过JEDEC(暨工规级)认证的1200V 80mohm碳化硅(SiC)MOSFET产品。这是首款在国内设计研发、国内6英寸生产线制造流片的碳化硅MOSFET,该产品的发布填补了国内空白,产品性能达到国际先进水平。新产品支持的应用领域,包括风能和光伏逆变、工业电源、新能源汽车、电机驱动、充电桩等领域。

  碳化硅是新一代半导体的主攻方向,瞻芯电子创始人张永熙博士介绍,在新能源汽车电驱动中使用SiC MOSFET替代Si IGBT,整车效率提高5%-10%。在光伏逆变器中使用SiC 功率器件,整机的能耗降低50%。

  电力电子行业专家周满枝介绍,使用SiC MOSFET替代Si IGBT,其开通损耗降低至三分之一,关断损耗降至二十分之一,这使得使用SiC功率器件的产品可以达到更高的功率密度,使用更简单的散热设计,整体效率更高。

  碳化硅MOSFET产品可以应用于新能源汽车、光伏逆变,风能逆变、储能设施、高速电机驱动等场合,其市场前景广泛,预计到2027年市场销售额将达到100亿美元,SiC功率器件是面向未来更环保,更节能的电能转换核心器件,在整个系统中处于关键部位。


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