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中科君芯:专注“芯”研发,向中大功率市场挺进

发布日期:2019-04-16 来源:深圳中自网作者:网络
        4月9日-11日,由工业和信息化部、深圳市人民政府共同主办的第七届中国电子信息博览会在深圳会展中心盛大举办。这次展会集结了智慧城市、智慧家居、5G、物联网、锂电新能源、智能制造、电子元器件等领域的诸多创新成果,向外界展示了中国电子信息产业的繁荣与无限活力。其中,芯片作为电子信息的基石,其科技含量高、全球需求旺盛,同时由于存在很高的技术壁垒,研发周期长,使得在国际上掌握其核心技术的公司屈指可数,一直受到各国的广泛关注。江苏中科君芯科技有限公司(以下简称“中科君芯”)是国内一家致力于IGBT芯片研发设计的领先企业,这次展会向国内外参展观众展示了公司自主研发的IGBT芯片、单管、模块等系列产品。
 
展位现场
 
        IGBT是电子电力的主要核心部件之一,具有高频率、高电压、大电流、易于开关等特点,被广泛应用于家用电器、交通运输、电力工程、可再生能源及智能电网等领域,覆盖工业领域的方方面面。在国内能够掌握从自主设计到生产工艺流程的IGBT芯片企业为数不多,中科君芯是其中的佼佼者,其前身是中国科学院微电子研究所、中国物联网研究与发展中心以及成都电子科大的三个研究团队,最早始于上世纪80年代。基于深厚的原始积累与技术沉淀,中科君芯在2011年成立之初,就已经是一家研发实力雄厚的公司,目前形成具有市场竞争力的产品有650V、1200V、1700V系列IGBT芯片,并拥有222项专利,其中PCT专利12项。正因为对产品从设计、研发到生产流程都做到了完全的把控,所以更能够了解产品的性能,保证产品的稳定性和品质,受到用户好评。
 
        从去年开始,中科君芯已经研发设计出覆盖全电压段、全电流段的IGBT芯片,并且在对芯片的性能进行持续优化,力图为客户提供最优性价比的产品。目前产品已经全面面向感应加热、逆变焊机、通用变频、伺服、新能源汽车等应用领域。
 
IGBT系列产品
 
 
        据中科君芯的现场工作人员介绍,IGBT技术方面,公司目前已开发出沟槽场终止(Trench -FS)电压650V-6500V、单芯片电流8A-400A全系列IGBT芯片,成功解决了沟槽栅沟槽成型技术、载流子增强技术、晶圆减薄技术、背面高能离子注入技术、背面激光退火技术等关键工艺技术。
 
        FRD技术方面,和IGBT同步开发,公司已成功研发出适合大功率工业级和车用级模块的FRD芯片,成功解决了少子寿命控制与高温漏电协调设计,阳极注入效率和欧姆接触的优化设计,反向恢复时间与恢复软度的优化设计等核心技术。
 
        由于近些年国家陆续发布了《国家集成电路产业发展推进纲要》和《中国制造2025》等政策,半导体芯片需求激增。据全球市场研究机构集邦咨询出具的最新《中国半导体产业深度分析报告》表明,因2018年MOSFET、IGBT等产品持续缺货和涨价,使得中国功率半导体市场大幅增长12.76%,达到2591亿元,到2019年,中国半导体市场有望继续保持双位数增长态势,达到12.17%至2907亿元。
 
        不过,正是因为去年英飞凌、三菱、富士等几家垄断了IGBT芯片市场的巨头出现缺货涨价的时机,让国内终端厂商们认识到国产IGBT的优势,大胆尝试使用,且得到了正向的良好反馈,让中科君芯等芯片企业打入这一缺口。今后,中科君芯将向中、大功率的工业变频、伺服驱动市场挺进。而在中大功率的IGBT应用领域,目前国内厂商还鲜少涉及,一直被日本三菱、东芝、英飞凌等少数欧美系、日系企业占领着。而中科君芯的1200V的中大功率IGBT芯片已经通过验证,实现了批量生产。在如今国产替代进口的政策驱动下,公司有信心与英飞凌、三菱、富士等芯片巨头竞争,让国产芯片走进“寻常人家”,为“中国芯”的发展贡献力量。
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