大会第一天，中国科学院电工研究所主任研究员，博士生导师温旭辉，福州大学电气工程与自动化学院教授、博士生导师陈为，清华大学副教授李哲等三位专家学者以专题讲座形式拉开此次大会序幕。
中国科学院电工研究所研究员温旭辉
中国科学院电工研究所研究员温旭辉围绕新能源汽车电机驱动技术，从电机驱动特点、技术研究、技术应用与成果转化等多角度展开阐述。她表示，新能源智能化电动车将是新源汽车未来的发展趋势。
在讲座中，中国科学院电工研究所研究员温旭辉从国内国外技术进展两方面对比分析了2017年我国新能源汽车电机驱动现状与未来发展动向。
在高密度驱动电机方面，国外如大众、沃尔沃、克莱斯勒等驱动电机最高转速不断提升，最高可达14000~16000rpm；从绕组结构上看，发卡式绕组/扁导线绕组（通用、丰田、本田、戴姆勒等）成为明确的技术方向之一，德国西门子现已成功开发了超高功率密度的双三相绕组永磁同步电机。我国，上海电驱动、精进电动、一汽集团等开发出功率密度达到3.8~4.6kW/kg的样机和产品，最高转速达13000~14000 rpm，并实现了电驱动一体化集成。
在驱动电机材料方面，国外如Toyota、GM开始研究采用混合磁体（含铁氧体）部分替代钕铁硼材料的可能性，低重稀土永磁材料已经在本田雅阁等新能源汽车上实现批量应用。我国企业精进电动研制出集中驱动和分布驱动的非晶电机装车样件，中国科学院电工所研制出应用非晶合金和硅钢片混合材料的电机样机。
在高密度电机控制器方面，芯片双面焊接和系统级封装是当前国外电机控制器的主流封装形式。如电桩、Bosch、大陆等公司的集成电机控制器的功率密度已达到16~24kW/L以上；在双电机插电式混动和高功率乘用车应用领域，直流电压呈现提升趋势。我国高密度集成控制器追赶迅速，上海电驱动、上海大郡、深圳汇川、中车时代电气等均推出了基于标准模块和基于定制化封装模块的电机控制器样机。
在碳化硅芯片方面，2015年罗姆公司率先开发了采用沟槽的SiC MOS，开关损耗较平面型SiC MOS降低42%；2016年英飞凌推出了1200V/100A SiC MOS的导通电阻降至11mΩ;2017年Wolfspeed推出了900V/150A（10 mΩ）SiC MOS芯片，面向电动车开始应用。2017年美国国家能源部投资2000万美元资助21个宽禁带半导体项目；法国Yole公司预测2018年后SiC器件将开始应用于电动汽车大功率电机驱动领域。我国在碳化硅芯片方面，中科院微电子所研制的1200V/100A SiC SBD器件与Cree第五代CPW5-1200-Z050B产品相比具有优势。
在电驱动总成方面，以大陆、麦格纳、吉凯恩、西门子等为代表的电驱动系统集成商推出了电驱动一体化总成产品。与此同时，我国上海电驱动、一汽、深圳汇川等开发了集成电机、控制器和减速器的一体化总成，与国外水平相当。但我国高速减速器（大于12000rpm）技术和产品相对较少。
在48VBSG集成一体化总成方面，国外如大陆、博世、法雷奥、马瑞利等已经推出了48VBSG样机。同时大陆、博世、法雷奥均具有48V系统集成能力（BSG+电池+DCDC），已经实现了装车测试和小批量试制。我国上海电驱动开发了风冷感应电机和水冷永磁电机两种规格的48VBSG电机系统。
福州大学教授陈为
此外，福州大学教授陈为以“电动汽车OBC磁元件分析与设计”为主题，讲述了电器、电磁和电气元件及系统仿真以及工程电磁场分析与应用。
清华大学副教授李哲
清华大学副教授李哲围绕“锂离子电池仿真与充电策略设计基础”分别介绍电动汽车用锂离子电池的几类常用基础模型及其建模方法和锂离子电池充电接受能力的限制因素和确定合理充电策略的理论方法，全方位阐释电池充电管理策略与技术。
为期三天的新能源汽车充电与驱动技术大会将持续奉上“技术盛宴”， 5月12日，中国工程院院士、香港大学教授陈清泉教授，中国科学院院士、清华大学教授欧阳明高，中国工程院院士、湖南大学教授罗安等专家大咖将继续带来技术盛宴。没能到现场的朋友可当天上午8.30，通过以下几种方式观看直播:
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