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下面以采用光耦隔离的基本栅极驱动电路（图1）为例来说明。[查看全文]

SiC MOSFET的阈值电压（VGS(th)）通常低于Si IGBT。降低阈值电压可降低SiC MOSFET的通态电阻。驱动SiC MOSFET需要对栅极施加[查看全文]

图1显示了SiC MOSFET的正向通态特性。由于MOSFET是单极性器件，没有内建电势，所以在低电流区域，SiC MOSFET的通态压降明显低[查看全文]

SBD（肖特基势垒二极管）是一种利用金属和半导体接触，在接触处形成势垒，具有整流功能的器件。Si SBD耐压一般在200V以下，而[查看全文]

　　近日，一汽丰田汽车有限公司生技部部长岡井智彦率领冲压、焊装、总装团队访问欧姆龙自动化展厅和工厂。基于双方长期良好的合[查看全文]

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　　　　[中国，上海，2025年9月17日] 以华为坤灵，助力中小企业跃升智能化为主题的华为坤灵秋季新品发布会在上海举办。华为常务[查看全文]

　　9月17日，在刚刚举行的华为全联接大会2025全球合作伙伴峰会暨优秀合作伙伴颁奖典礼上，华龙讯达荣获华为2025年度华为云技术[查看全文]

　　根据天津广播电视台报道，茵梦达全球电机生产基地和研发中心在北辰开发区进展顺利。这个项目早在2023年7月启动选址，经过一[查看全文]

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