东芝推出支持PCIe®5.0和USB4®等高速差分信号的2:1多路复用器/1:2解复用器开关
2024-07-11 17:36东芝推出支持PCIe®5.0和USB4®等高速差分信号的2:1多路复用器/1:2解复用器开关
东芝电子元件及存储装置株式会社(东芝)今日宣布,推出最新多路复用器/解复用器(Mux/De-Mux)开关TDS4A212MX和TDS4B212MX多路[查看全文]
重磅新品发布 | 英飞凌全新一代氮化镓产品
2024-07-11 17:04重磅新品发布 | 英飞凌全新一代氮化镓产品
据Yole Group预测,未来五年GaN器件市场的年复合增长率(CAGR)将达到46%。随着2023年对GaN Systems公司的成功收购,英飞凌今年[查看全文]
2024-07-10 09:02英飞凌发布采用8英寸晶圆代工工艺制造的新一代CoolGaN晶体管系列
【2024年7月9日,德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日推出新一代高压(HV)和中压(MV)[查看全文]
伟创10mm直流无刷空心杯电机系统,为创新而来
2024-07-05 14:20伟创10mm直流无刷空心杯电机系统,为创新而来
随着人工智能、机器人制造等技术的不断发展,人形机器人的智能化水平不断提高,其核心部件的需求也越来越广泛。伟创电气自步入机[查看全文]
森未科技200kW+储能PCS用IGBT:S3L400R10GA7U_C20
2024-07-04 16:34森未科技200kW+储能PCS用IGBT:S3L400R10GA7U_C20
森未科技正式发布GA系列首品:S3L400R10GA7U_C20,可用于1000V系统125KW+及1500V系统200KW+储能,兼容性好,产品外形及引脚分布[查看全文]
适用于最高3300V的SiC模块多并联门极驱动器
2024-07-03 16:38适用于最高3300V的SiC模块多并联门极驱动器
第三代宽禁带半导体SiC MOSFET越来越广泛的运用于工业领域,相比于普通的 Si 半导体功率器件,其具有耐高温,耐高压,低损耗和高[查看全文]
研华发布新一代基于昇腾平台的轻量级边缘AI产品
2024-07-01 09:59研华发布新一代基于昇腾平台的轻量级边缘AI产品
2024 年6月,研华发布新一代轻量级边缘AI计算产品MIC-ATL2D开发板和MIC-ATL2S系统,搭载Ascend Atlas 200I A2平台,满足高性能的[查看全文]
三安 第五代 1200V SiC SBD 高效、小型化与高浪涌的优选
2024-06-27 15:54三安 第五代 1200V SiC SBD 高效、小型化与高浪涌的优选
在高功率应用中,碳化硅肖特基势垒二极管(SiC SBD)相比于硅基器件,具有更加耐高压、耐高温和没有反向恢复电荷等优势。三安半[查看全文]
英飞凌推出600 V CoolMOS™ S7TA MOSFET;推出OptiMOS™ 7 MOSFET产品组合
2024-06-26 15:57英飞凌推出600 V CoolMOS™ S7TA MOSFET;推出OptiMOS™ 7 MOSFET产品组合
英飞凌推出集成高精度温度传感器的新型600 V CoolMOS S7TA MOSFET全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司近[查看全文]
英飞凌推出CoolSiC™ MOSFET 400 V,重新定义AI服务器电源的功率密度和效率 英飞凌官微
2024-06-26 10:01英飞凌推出CoolSiC™ MOSFET 400 V,重新定义AI服务器电源的功率密度和效率 英飞凌官微
随着人工智能(AI)处理器对功率的要求日益提高,服务器电源(PSU)必须在不超出服务器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率,这[查看全文]
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第10届变频器企业家论坛