森未科技200kW+储能PCS用IGBT:S3L400R10GA7U_C20
2024-07-04 16:34森未科技200kW+储能PCS用IGBT:S3L400R10GA7U_C20
森未科技正式发布GA系列首品:S3L400R10GA7U_C20,可用于1000V系统125KW+及1500V系统200KW+储能,兼容性好,产品外形及引脚分布[查看全文]
适用于最高3300V的SiC模块多并联门极驱动器
2024-07-03 16:38适用于最高3300V的SiC模块多并联门极驱动器
第三代宽禁带半导体SiC MOSFET越来越广泛的运用于工业领域,相比于普通的 Si 半导体功率器件,其具有耐高温,耐高压,低损耗和高[查看全文]
研华发布新一代基于昇腾平台的轻量级边缘AI产品
2024-07-01 09:59研华发布新一代基于昇腾平台的轻量级边缘AI产品
2024 年6月,研华发布新一代轻量级边缘AI计算产品MIC-ATL2D开发板和MIC-ATL2S系统,搭载Ascend Atlas 200I A2平台,满足高性能的[查看全文]
三安 第五代 1200V SiC SBD 高效、小型化与高浪涌的优选
2024-06-27 15:54三安 第五代 1200V SiC SBD 高效、小型化与高浪涌的优选
在高功率应用中,碳化硅肖特基势垒二极管(SiC SBD)相比于硅基器件,具有更加耐高压、耐高温和没有反向恢复电荷等优势。三安半[查看全文]
英飞凌推出600 V CoolMOS™ S7TA MOSFET;推出OptiMOS™ 7 MOSFET产品组合
2024-06-26 15:57英飞凌推出600 V CoolMOS™ S7TA MOSFET;推出OptiMOS™ 7 MOSFET产品组合
英飞凌推出集成高精度温度传感器的新型600 V CoolMOS S7TA MOSFET全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司近[查看全文]
英飞凌推出CoolSiC™ MOSFET 400 V,重新定义AI服务器电源的功率密度和效率 英飞凌官微
2024-06-26 10:01英飞凌推出CoolSiC™ MOSFET 400 V,重新定义AI服务器电源的功率密度和效率 英飞凌官微
随着人工智能(AI)处理器对功率的要求日益提高,服务器电源(PSU)必须在不超出服务器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率,这[查看全文]
大型机器人家族新成员!ABB正式推出IRB 7710&IRB 7720
2024-06-21 11:29大型机器人家族新成员!ABB正式推出IRB 7710&IRB 7720
近日,ABB机器人推出全新IRB 7710和IRB 7720,扩充了其大型机器人系列产品。这两款全新机器人再加上不久前推出的IRB 5710-IRB 5[查看全文]
支持LoRaWAN®+卫星通信(S-Band)的通信模块,助力扩大通信区域和IoT设备开发流程合理化
2024-06-19 13:57支持LoRaWAN®+卫星通信(S-Band)的通信模块,助力扩大通信区域和IoT设备开发流程合理化
通信模块:支持LoRaWAN+卫星通信株式会社村田制作所开发出了村田首款(1)支同时持LoRaWAN(2)和卫星通信的通信模块Type 2GT。 它可[查看全文]
400mA、高输出压摆率,纳芯微NSOPA240x系列破解旋转变压器之“难”
2024-06-18 17:19400mA、高输出压摆率,纳芯微NSOPA240x系列破解旋转变压器之“难”
随着市场对高精度、高性能电机控制技术的不断追求,旋转变压器作为其核心部件之一,其精确测量角度位置和转速的能力显得尤为重要[查看全文]
东芝推出“XCUZ系列”浪涌保护齐纳二极管产品,适用于汽车设备
2024-06-18 17:12东芝推出“XCUZ系列”浪涌保护齐纳二极管产品,适用于汽车设备
车载系统的性能直接决定着驾驶者的体验和安全性,一款拥有顶配性能的汽车少不了电压电路的保护。东芝推出的XCUZ系列浪涌保护齐纳[查看全文]
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