EDT3和RC-IGBT裸芯片专为提供高质量而可靠的性能而设计，助力客户开发定制功率模块。新一代EDT3较EDT2 有了显著的进步，其在高负载下的总损耗减少了20%，同时保持了低负载下的效率。这一进步得益于大幅减少芯片损耗和提高最高结温的优化措施，使得芯片在高负载性能和低负载效率之间实现了平衡。因此，使用EDT3芯片的电动汽车能够实现更长的续航里程并降低能耗，从而提供更加可持续且经济高效的行驶体验。
英飞凌科技汽车高压芯片和分立器件产品线副总裁Robert Hermann表示：“作为领先的IGBT技术供应商，英飞凌致力于提供性能与可靠性出众的产品。EDT3解决方案基于我们对创新与低碳化的不懈追求，助力客户在其诸多应用中实现理想的结果。”
EDT3芯片组提供750 V和1200 V两种电压等级，其输出电流高，适合纯电动汽车、插电式混合动力电动汽车、增程式电动汽车（REEV）等各种电动汽车中的主逆变器应用。产品缩小了芯片尺寸并优化了设计，便于制造更小的模块，降低了整体系统成本。此外，其最大虚拟结温为185°C，最大集电极-发射极额定电压为750 V和1200 V，适合高性能应用。通过该产品，汽车制造商能设计出更加高效、可靠的动力传动系统，帮助延长行驶里程并减少排放。
臻驱科技创始人兼总经理沈捷博士表示：“英飞凌作为臻驱科技的主要 IGBT 芯片供应商和合作伙伴，始终如一地为我们提供实现系统级优势的创新解决方案。最新的EDT3芯片优化了损耗和损耗分布，支持更高的工作温度，并提供多种金属化选项。这些特性不仅减少了每安培所需的硅片面积，还加速了先进封装技术的应用。"
1200 V RC-IGBT 通过在单芯片上集成IGBT 和二极管功能提升了性能，与分离的 IGBT 和二极管芯片组解决方案相比，实现了更高的电流密度。这一进步带来了系统成本优势，得益于更高的电流密度、可扩展的芯片尺寸以及降低的组装工作量
英飞凌最新的EDT3 IGBT芯片技术现已集成到 HybridPACK™ Drive G2汽车功率模块中，为整个模块产品组合提供更强大的性能与功能。该模块在750 V和1200 V功率等级下可提供最高250 kW 的功率范围，提高了易用性。其下一代相电流传感器集成选项、片上温度传感器等新功能有助于降低系统成本。
所有芯片产品均提供定制芯片布局，包括片上温度和电流传感器。此外，英飞凌还可根据要求提供适用于烧结、焊接和键合的金属化选项。
供货情况
EDT3和RC-IGBT新品现已提供样品。了解更多信息，请访问www.infineon.com/edt3.。
[1] 英飞凌估算值
