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半导体展望:审慎乐观

发布日期:2024-09-25 来源:经济日报作者:网络

 瑞银证券台湾半导体分析师林莉钧昨(24)日表示,对半导体业展望审慎乐观,预期2025年将持续增长,其中,不含记忆体的半导体营收今年将成长约8%,明年有望再增长18%,成长动能主要来自消费类和AI相关产品,因目前下游库存状况健康、且较为稳定。

 

林莉钧说,进入2025年初,预计下游库存可能会过低,将进一步推动产能利用率,尤其是晶圆代工和封装领域。虽然市场对GPU供应商推动架构过快而产生的良率,但预期这些问题在未来几个月内会逐步改善。
 

针对先进制程,2纳米技术被视为未来几年的重要机会,预计将超过3纳米的需求高峰。随着AI、PC和手机对运算能力的需求上升,且成熟制程晶圆代工厂利用率回升,预计台湾的晶圆代工厂明年将呈现强劲增长。

 

瑞银台湾硬体科技研究部主管陈星嘉指出,AI伺服器方面,首先投资人担心美国四大云服务商(CSP)资本支出是否能持续,进而影响台湾供应链。

 

记忆体寒冬将至供过于求问题将延续至2026
 

外界普遍认为记忆体市况正走在稳健的道路之际,外资摩根士丹利最新报告却大泼冷水,直言记忆体“寒冬将至”,DRAM市场恐从周期性高峰回落,预期最快将于第4季反转向下,开始面临供过于求压力,不仅接下来订价环境更具挑战,供过于求问题更会一路延续至2026年。

 

大摩是近期开出第一枪看坏记忆体市况的外资,法人认为,若DRAM市况反转向下,将牵动台湾相关业者后市。

 

大摩今年第2季初仍看多记忆体市况,当时认为在AI快速发展下,将导致DRAM和高频宽记忆体(HBM)供不应求,预计整个DRAM市场供应缺口高达23%,乐观预期将出现产业“超级周期”。短短半年大摩即“变脸”,最新记忆体产业报告出现180度大转变。

 

摩在最新报告指出,“行业不会永远处于夏季,寒冬总会到来”,尽管记忆体价格仍在上涨,但随着供应追上需求,增长速度正在接近峰值,将记忆体周指标自2021年以来首次从“周期后期”调整为“周期峰值”,研判在接下来的几个季度中,记忆体产业将走完一个完整周期,最快今年第4季就会看到这个高峰周期结束。

 

大摩强调,虽然AI需求相对仍强劲,但传统终端市场最近几周已恶化或保持疲软,并导致价格下滑,初步迹象表明,第4季订价环境将更具挑战,预期恐于2025年出现趋势逆转,DRAM将一路供过于求至2026年,主因库存持续积累,并加剧供需失衡状况。

 

就主要厂商后市来看,大摩大刀一挥,大砍SK海力士目标价,从26万韩元腰斩至12万韩元。

 

大摩认为,SK海力士今年大部分时期仍将表现良好,但从第4季开始乌云密布;大摩看坏SK海力士之际,对南亚科、旺宏等台湾记忆体厂也同步给予“减码”评等,使得以DRAM为主要货源、常因市况起伏而影响营运的威刚、十铨、创见等记忆体模组厂后市同受关注。

 

HBM市场分散化、AI投资达高峰明年恐供过于求

 

外资摩根士丹利最新报告开出进看坏DRAM市况的第一枪之际,同步唱衰当红的高频宽记忆体(HBM)后市,预期随着市场分散化以及AI领域投资达到高峰,明年HBM市场可能供过于求。惟记忆体业者普遍不认同大摩的观点,认为HBM市场一路旺到2025年无虞。

 

大摩的观点是,每家记忆体厂都在根据HBM产出的最佳可能情况进行生产,将全球原本用于生产DRAM的15%产能转换至生产HBM,这只需要少量的资本投资,预估仅不到2024年DRAM晶圆制造设备的10%,然而,如果按这个计画进行,HBM产能可能会面临过剩。

 

大摩直言,现阶段业界良好的HBM供应状态,2025年时,恐面临实际产出可能会逐渐赶上、甚至超过当前被高估的需求量。一旦上述问题浮现,导致HBM供过于求,记忆体厂可把产能挪回制造DDR5,并闲置一小部分后端设备。

 

目前全球HBM主要由SK海力士、三星、美光等三家国外大厂供应,台厂并未涉入HBM制造。相较于大摩看坏HBM市场发展,SK海力士、三星仍力挺HBM后市。

 

三星、SK海力士本月初来台参加国际半导体展(SEMICON Taiwan 2024),当时两大厂即同步释出对HBM后市正向看待的观点,并积极推出最新产品,且不约而同强调将强化与其他晶圆厂合作。

 

三星并推估,HBM市场规模今年将达到16亿Gb,相当于2016年到2023年加起来再乘以两倍的数字,显现HBM市场爆发力强劲,看好AI将带动DRAM市场蓬勃发展。为此,三星下世代MCRDIMM也已经准备好将在年底量产,并推出32Gb DDR5。

 

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