实现现有DDR5 DRAM最高运行速度和基于‘HKMG’工艺的超低功耗
期待成功完成最高性能的1b DDR5 DRAM产品验证
“开始量产最先进的1b工艺，以业界最高DRAM竞争力水平改善今年下半年业绩”
明年上半年将把1b工艺扩大适用于LPDDR5T、HBM3E等高性能产品
2023年5月30日，SK海力士宣布，已完成现有DRAM中最为微细化的第五代10纳米级（1b）技术研发，并将适用其技术的DDR5服务器DRAM提供于英特尔公司（Intel®）开始了“英特尔数据中心存储器认证程序（The Intel Data Center Certified memory program）”。
此程序是英特尔的服务器用第四代至强®可扩展平台*（ Intel® Xeon® Scalable platform）所采用的存储器产品兼容性的正式认证流程。
SK海力士向英特尔提供的DDR5 DRAM产品运行速度高达6.4Gbps（每秒6.4千兆比特），公司技术团队实现了目前市面上DDR5 DRAM的最高速度。与DDR5 DRAM初期阶段的试制品*相比，数据处理速度提升了33%。
另外，公司在此次1b DDR5 DRAM上采用了“HKMG（High-K Metal Gate）”*工艺，与1a DDR5 DRAM相比功耗减少了20%以上。
SK海力士强调：“通过1b技术的研发成功，将可向全球客户供应高性能与高效能功耗比*兼备的DRAM产品。”
SK海力士DRAM开发担当副社长金锺焕说道：“就如于公司在今年1月将第四代10纳米级（1a）DDR5服务器DRAM适用到英特尔®第四代至强®可扩展处理器（4th Gen Intel® Xeon® Scalable processors），并在业界首次获得认证，此次1b DDR5 DRAM产品验证也会成功完成。”
金副社长又说到：
有预测称从今年下半年起存储器市场状况将得到改善，公司将以1b工艺量产等业界最高的DRAM竞争力水平加速改善今年下半年业绩。又计划在明年上半年将最先进的1b工艺扩大适用于LPDDR5T和HBM3E*产品。
英特尔公司存储器I/O技术部门副总裁Dimitrios Ziakas表示：
英特尔公司为了DDR5 DRAM和英特尔平台间的兼容性验证，在与存储器行业紧密合作。SK海力士的1b DDR5 DRAM将适用于英特尔的新一代至强®可扩展平台，为此业界首次进行着英特尔数据中心存储器认证程序。
另外，SK海力士表示，为了将已完成一轮兼容性验证的1a DDR5 DRAM适用于英特尔下一代至强®可扩展平台的追加认证流程也正在同步进行中。
SK海力士DDR5 DRAM开发成果
2020年10月
推出全球首款DDR5 DRAM
2021年12月
全球首次提供24Gb DDR5 DRAM样品
2023年1月
全球首获1a DDR5服务器DRAM英特尔认证
2023年4月
全球首次向英特尔提供1b DDR5服务器DRAM样品
*DDR5 DRAM初期阶段试制品的运行速度为4.8Gbps（每秒4.8千兆比特），JEDEC标准中DDR5的最高运行速度为8.8Gbps。
*HKMG（High-K Metal Gate）: 在DRAM晶体管内的绝缘膜上采用高K栅电介质，在防止漏电的同时还可以改善电容（Capacitance）的新一代工艺。不仅可以提高内存速度，还可降低功耗。SK海力士于去年11月推出了在移动DRAM上全球首次采用HKMG工艺的8.5Gbps LPDDR5X。在今年1月推出的9.6Gbps LPDDR5T移动DRAM也采用了HKMG工艺。
*效能功耗比：每一定单位功率每秒可处理的数据容量指标。
*HBM3E（HBM3 Extended）：HBM以第一代（HBM）-第二代（HBM2）-第三代（HBM2E）-第四代（HBM3）的顺序开发，HBM3的下一代产品为第五代HBM3E。SK海力士计划在今年下半年准备具备8Gbps数据传输性能的HBM3E样品，并将于明年投入量产。
