日前，苏州镓敏光电（GaNo Optoelectronics）宣称发布了首款商业化的SiC EUV（波长为124-10nm）极紫外光电二极管。
据介绍，可见光盲EUV光电二极管可在光伏或光电模式下工作，具备高EUV光子探测效率、高响应速度及高稳定性等特点。2021年10月，镓敏光电开始SiC EUV光电二极管的试生产及不同客户的验证工作，随后便开始向全球主要客户出货SiC EUV光电二极管及组件。
镓敏光电介绍，传统商业化EUV探测器是完全基于Si技术开发的，虽然取得一定的成功，但存在一些固有的缺点。比如，Si EUV探测器可在EUV波长范围内提供中等的量子效率，但为了实现高UV/可见光抑制比，需要用到复杂度高的光学滤波器，因为Si EUV探测器的峰值响应仅在可见光波长范围内。
镓敏光电的首席技术官、南京大学教授陆海表示，目前，第三代半导体已被公认为是最适合制备紫外光探测器的材料。得益于SiC的宽禁带特性，基于SiC制备的EUV光电二极管对背景白光无响应，即便在150℃高温条件下，暗电流也可低至1pA。
这就意味着SiC EUV光电二极管噪音极低，可实现很高的信噪比和探测率。同时，经证实，由于SiC半导体具备高电子空穴对电离能及高位移阈值能量，SiC EUV光电二极管的耐辐射性至少是Si EUV光电二极管的1000倍。
尽管优势明显，但因衬底或外延相关的材料缺陷、器件加工技术不成熟等，SiC EUV光电二极管在实际应用上面临较大挑战。镓敏光电的生产工艺显示，合适的表面电场调制及表面钝化工艺对于生产低漏电流和高稳定性的SiC EUV二极管来说至关重要，这两大特性在先进光刻机或航天卫星等应用中的重要性极高。
下一步，镓敏光电计划开发基于SiC光电二极管的EUV图像阵列，但如此一来，每个光电二极管像素之间的一致性和可延展性将成为主要的技术障碍。镓敏光电正在开发注入和掺杂剂激活序列及后端处理技术，以期解决这个技术问题。
资料显示，镓敏光电是由南京大学分拆出来的高科技企业，专注于研发和生产新一代高端紫外光电传感芯片、紫外监测探头、紫外传感应用模块，并提供紫外校准服务和定制化技术开发服务。
值得注意的是，镓敏光电拥有第三代半导体紫外传感芯片技术，产品已广泛应用于紫外消毒剂量监测、紫外火焰探测、水质检测、气体污染物检测、紫外固化过程监控，以及太阳紫外线指数监测等诸多领域。
