公司表示，全年业绩大增主要得益于：新建产能加速释放；子公司2021年营收增长；产品中，MOSFET产品营收同比增长130%，小信号产品82%，IGBT产品500%，模块产品35%。
值得一提的是，公司2021年10月曾透露，前三季度MOSFET、小信号、IGBT及模块等产品的业绩同比增长均在100%以上。
产能来看，扬杰科技“做好两手准备”，持续扩张。
一方面，其子公司扬州杰利半导体的新能源汽车电子级大功率半导体晶圆项目去年2月开工。该项目总投资额3.5亿元，目标年产能1200万片。另一方面，公司已与中芯绍兴在8英寸高端MOS、IGBT领域达成战略合作。东北证券认为，扬杰科技未来将受益于中芯绍兴产能增长。
产品部分，IGBT及MOSFET产品起量是公司重要增长动力，而年报给出的数据也从印证了这一点。华西证券指出，随着扬杰科技新产品营收占比逐渐提升，其将实现二极管整流桥、MOSFET、IGBT模块以及SiC的全系列功率产品布局。
下游需求快速增长IGBT供需缺口或延至2023年
其中，IGBT兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面优点，有望尤其深度受益。据开源证券预计，风电+光伏+储能新增装机市场对IGBT的需求规模将由2021年的86.7亿美元上升至2025年的182.5亿美元；同时，新能源汽车及充电桩也是IGBT的另一大增长动力，Yole预计，2026年全球汽车IGBT市场规模将达84亿美元。
快速攀升的下游需求面前，上游供应却难以立刻放量，供需失衡进一步加剧。虽然大多业内人士预计2022年总体半导体短缺将缓解，但英飞凌也提醒，细分领域中，IGBT的供不应求或在2023年才能缓解。
而我国一直是IGBT需求量最大的市场，占全球近一半份额，但本土率仍处于较低水平，ASMC数据显示，我国90%以上的IGBT产品需要依赖进口。目前我国各大IGBT厂商相继加码扩大产能，机构建议关注整体研发实力强劲，产品高端化布局的各细分赛道领先企业。
