来自香港应科院、北京大学、基本半导体等院校和企业的专家分别从第三代半导体材料的发展及应用、器件生产制造和产业发展机遇等角度发表了主题演讲。和巍巍博士重点介绍了碳化硅器件的优势、市场与应用、发展现状和基本半导体研发成果。
目前各国对第三代半导体产业非常重视，在政府发布的《中国制造2025》的行动纲领中，多次提到以碳化硅为代表的第三代半导体发展目标。政府到民间都有投入大量资源，加大器件开发力度，基本半导体是目前碳化硅功率器件领域发展的佼佼者。
基本半导体自主研发了各电流电压等级的标准及高温应用 JBS二极管、平面、沟槽MOSFET，10kV以上PiN二极管，各项性能指标达到国际领先水平。其独有的3D外延技术(3D SiC)，能够充分利用碳化硅的材料潜力，实现更高功率和更低损耗。该技术与普通的碳化硅器件设计方案相比，可以实现更低的肖特基势垒，和更高迁移率的MOSFET设计，进一步降低损耗30%以上，实现更高效的集成器件。
本次论坛共有深圳相关科技主管单位领导、深港科研机构高级研究人员、行业应用厂商、关注集成电路行业的资深投资机构、投资人等百余位专业人士参加。在圆桌论坛环节，几位专家从机遇和挑战两个维度深入讨论了第三代半导体行业的国际形势和国内发展现状等话题。
第三代半导体技术及应用高峰论坛圆满结束，众多行业人士为产业发展献策献力，打造交流合作的平台，将进一步促进第三代半导体技术与产业应用的紧密结合，共同推动行业快速向前发展。
