采用新封装的新一代大容量功率半导体

　  三菱电机株式会社开发了满足电气化铁路、电力等大型工业设备应用的新一代大容量功率半导体模块——New Dual X系列 HVIGBT模块。采用新封装的模块能够满足市场对新一代逆变器产品的更高功率和更高效率要求，而且标准化的封装易于实现灵活的系统设计。

关于样品提供，从2017年3月开始提供3.3kV产品（LV100封装），从2018年开始依次提供1.7kV产品、3.3kV产品（HV100封装）、4.5kV产品和6.5kV产品。此外，1.7kV以下产品也有计划开发。

本产品将在“TECHNO-FRONTIER 2016 -MOTORTECH JAPAN-”（4月20-22日于日本幕张举行）“PCIM^※1 Europe 2016”（5月10-12日于德国纽伦堡举行） 以及“PCIM^※1 Asia 2016”（6月28-30日于中国上海举行）上展出。

※1　PCIM：Power Conversion Intelligent Motion

                                                                                                                       LV100封装                                                                                                                
                                                                                                                                                          HV100封装

                                                                                                                                 6kV 绝缘耐压                                      
                                                                                                                                                              10kV绝缘耐压

 新品特点

1．降低功率损耗，为逆变器的大容量化和高效率化做出贡献

・通过采用CSTBT^TM※2 结构的第7代IGBT和RFC二极管^※3，降低功率损耗

・降低内部电感的封装技术，优化产品性能

・扩展AC主功率端子为3个，使电流密度均匀分布，为逆变器的大容量化做出贡献（LV100封装）

※2　载流子存储式沟槽栅型双极晶体管

※3　Relaxed Field of Cathode Diode：通过在阴极部分地增加P层，反向恢复时注入空穴，因而使得恢复波形变得平缓，并且能够抑制电压尖峰。