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功率组件的功率密度提升了33%

发布日期:2009-05-16 浏览次数:84967 作者:网络
100%无焊接IGBT半桥

芯片安装采用烧结工艺,可承受更高的运行温度,使用寿命更长

适用于400kW-1.8MW的应用

纽伦堡,2009511 SKiiP® 4,新一代智能IGBT功率模块,相比采用非烧结工艺的模块,使用寿命更长,可用于温度更高的应用中。该SKiiP®功率组件是目前市场上最强大的智能功率模块,比其前任SKiiP®3的功率33% IPM主要用于风能和太阳能应用、牵引应用、电梯系统以及输出功率在400kW-1.8MW的工业驱动器中。

 在相同的条件和模块尺寸下,SKiiP®  4所提供的功率比该系列模块的当前版本SKiiP®  3 多33 %。一方面,我们可以开发更强大、结构更紧凑的变频器,从而降低成本。功率的增加依赖于使用了创新压接系统、改进的散热器以及IGBT4 、CAL4芯片技术。此外, 首次在上层功率端使用6个并联的半桥,而非目前所普遍采用的4个半桥。

SKiiP®  4模块中,半导体芯片不是焊接到陶瓷基板上,而是采用烧结技术连接,这意味着在不牺牲可靠性的情况下可以工作在更高温度下,某些情况下甚至使可靠性得到增强。烧结接合处是一个薄银层,热阻比焊接键合的低。由于银的熔点高,可防止过早产生材料疲劳。

与其前任一样, SKiiP®  4组件具备优良的匹配:散热器、功率模块,驱动器和保护传感器/功能。这里,基于压力系统的安装和连接技术发挥了至关重要的作用。客户也可以选择IPM运行在实际工作条件下的独特老化实验。通过这些实验,可以识别早期产生的硅失效并将有缺陷的芯片清除。实验中,模块是被暴露在最大可能结温下。

 无焊接压接系统和集成层叠电源轨迹确保均匀的电流分布。每个IGBT和二极管芯片单独连接到主端子上,使模块电阻很低。这些芯片不是焊接到陶瓷基板上,而是通过烧结过程连接。由于这些模块没有底板,DCB和散热器之间的无焊接连接是准柔韧的,这就是为什么热循环能力没有上限。可提供阻断电压为1200V和1700V的 SKiiP® 4,采用双管拓扑结构,每个IPM有3、4或6个并联的半桥。

 用于开关信号的数字信号传输是确保极高可靠性和开关信号抗干扰的关键。除各种技术优势外,它可以确保高度的信号完整性以及抗干扰。传输取决于非常强大且对温度波动或老化效应不敏感的元件的参数,开关和传感器信号传输信道具有电气隔离,这意味着用户无需提供额外的隔离。为了更加完美,新 SKiiP®  4 IPM还有一个多级输出级,以减少过电压,输出级中还包括其他各种保护功能。最后,在用户侧还提供优化评估的诊断通道。
 

图: 新的SKiiP®  4 IPM功率提升高达33%

关于赛米控

成立于1951年,总部位于德国的赛米控公司是一家在全球有3000名员工的家族式企业。赛米控遍布全球的35家子公司网络能够为客户提供快速高效的现场服务。一家主要的市场研究机构IMS的调查结果表明,赛米控是二极管/晶闸管市场的领导者,并且占有全球37%的市场份额。

产品:

赛米控具有两万一千多种不同的功率半导体器件,产品涵盖了芯片、分离二极管/晶闸管、功率模块(IGBT/MOSFET/二极管/晶闸管)、驱动电路、保护元件以及集成子系统。

应用:
“SEMIKRON inside” 已经是电气传动、风力发电、太阳能、电动汽车、焊机、电梯、电源、传送带和有轨电车等新兴发展行业的一个品牌。作为电力元器件行业的革新者,赛米控很多先进的技术已经成为大家所公认的工业标准。

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