昨日，嘉兴斯达半导体股份有限公司（下称“斯达半导”）官微宣布，与华虹半导体有限公司（下称“华虹半导体”）举办“华虹半导体车规级IGBT暨12英寸IGBT规模量产仪式”，并签订战略合作协议。
双方共同宣布，携手打造的高功率车规级IGBT（绝缘栅双极型晶体管）芯片，已通过终端车企产品验证，广泛进入了动力单元等汽车应用市场。
合作IGBT累计出货超25万片
据悉，华虹半导体与斯达半导合作多年，在汽车电子、变频器、逆变焊机、UPS、光伏/风力发电、白色家电等多个领域潜心研发生产IGBT。
目前已有多个电压的系列产品通过终端客户考核，实现批量生产，包括650V、750V、950V、1200V、1700V等。
双方合作IGBT累计出货量已超过25万片等效8英寸晶圆。
挺进车规级芯片市场
目前，由斯达半导设计、华虹半导体制造的车规级IGBT芯片已经大量应用于汽车电子领域，为国内汽车市场快速发展提供了有力的保障。
华虹半导体有近二十年的功率器件研发经验，2020年华虹半导体将8英寸IGBT技术导入12英寸生产线。一年内，在12英寸生产线上成功建立了IGBT晶圆生产工艺。产品顺利通过了客户认证，成为全球首家同时在8英寸和12英寸生产线量产先进型沟槽栅电场截止型（FS, Field Stop）IGBT的纯晶圆代工企业。目前，华虹半导体12英寸IGBT产出已超10,000片晶圆。
斯达半导一直致力于IGBT芯片设计和IGBT模块的设计、制造和测试。目前，斯达半导是国内唯一一家进入世界前10名的IGBT模块供应商，2020年，使用其自主芯片生产的车规级IGBT模块在全球市场配套超过20万辆汽车。
35亿募资，聚焦LGBT和SiC
今年3月，斯达半导募资35亿元，主要投向投向高压特色工艺功率芯片和 SiC 芯片研发及产业化项目，以及功率半导体模块生产线自动化改造项目。
其中，高压特色工艺功率芯片研发及产业化项目总投资15亿元，达产后预计将形成年产 30 万片 6 英寸高压特色工艺功率芯片生产能力。
功率半导体模块生产线自动化改造项目总投资7亿元，项目拟利用现有厂房实施生产线自动化改造。项目达产后，预计将形成新增年产 400 万片的功率半导体模块的生产能力。
目前市场上销售的新能源汽车所搭载的功率半导体多数为 IGBT 和 SiC MOSFET。
由于 SiC MOSFET 较 IGBT 方案比，可以有效的提升新能源汽车持续续航能力、空间利用等关键性指标，同时还可以减小电机控制器的体积，以特斯拉为代表的部分中高端车型已经开始使用 SiC MOSFET 方案。
斯达半导SiC 芯片研发及产业化项目总投资5亿元，拟通过新建厂房及仓库等配套设施，开展 SiC 功率芯片的研发和产业化。项目达产后，预计将形成年产 6 万片 6 英寸 SiC 芯片生产能力。
