值得注意的是，i20IGBT和d20FRD芯片，电压/电流为1200V/250A，各项性能达到或超过了国际领军企业的同类产品。
赛晶集团创始人、董事会主席项颉向《华夏时报》记者表示：“一旦公司产品批量供货，项目产能释放，就会迅速帮助市场与企业解决缺货问题，缓解供需失衡的现状”。
总投资53亿
赛晶科技传统业务为电力电子器件制造，主要应用于输配电、电气化交通、工业及其他领域。在输配电领域，公司阳极饱和电抗器已应用到国内40多个特高压直流项目中。在电气化交通领域，中国中车集团、比亚迪是赛晶长期的合作伙伴。工业及其他领域应用包括工业电解冶金、化工、采矿等行业的电能应用。
2018年，公司开始研发电动汽车用IGBT，开始转型升级。2019年启动IGBT研发生产项目，并成立瑞士SwissSEM、浙江赛晶半导体公司。2020年公司发布首款自研产品1200V/250A的i20IGBT芯片和1200V/750A的ED-TypeIGBT模块，同时启动生产线建设。公司IGBT应用主要面向电动汽车、新能源发电和工业电控市场，技术研发团队来自国际一流厂商ABB，管理团队也来自英飞凌等行业领先企业。
公司IGBT项目总投资52.5亿元，一期投资17.5亿元，规划建设2条IGBT芯片背面工艺生产线、5条IGBT模块封装测试生产线，建成后年产能200万件IGBT模块产品，后期公司还将继续完善自己的芯片背面线。
项颉对《华夏时报》记者表示，赛晶科技拥有近20年的功率半导体行业积淀。“赛晶科技将会加快IGBT系列产品的研发、推进后续生产线的建设，力争尽早让赛晶品牌IGBT出现在千千万万的电动汽车、风力发电、光伏发电、工业变频设备中。”
赛晶科技公布的中期业绩显示，2021年上半年，公司收入人民币4.908亿元；受固定资产折旧的影响，毛利减少约39.2%至约人民币1.268亿元。
方正证券分析师陈杭预测，2021-2023年，公司将分别实现营业收入分别为11.5亿元、13.5亿元和15.6亿元，归母净利润分别为0.3亿元、1亿元和2.2亿元。
拥有""中国芯”
业内专家向记者表示，IGBT作为功率半导体的代表，是大国重器，对电动汽车、新能源电力等国家重点新兴产业发展和达成“双碳”目标，具有重要的战略意义。然而，中国虽然是全球最大的IGBT消费国，市场却长期为国外企业所主导。特别是芯片领域，国内自给率极低。
记者注意到，在国外企业技术领先并主导市场的IGBT芯片领域，赛晶半导体是少数全部采用自有芯片进行模块封装的国内企业，更是目前极少数公开对外销售自主技术IGBT芯片的国内企业。
具体来说，i20IGBT芯片，采用FS-Trench结构，即正面精细沟槽+背面场截止，并通过N型增强、窄台面、短沟道、超薄基底、优化P+、3D结构等多项优化设计，从而带来了高达250A的卓越表现。
d20FRD芯片，与i20IGBT芯片一同研发，从而确保了FRD与IGBT的完美配合，以及芯片组的出色整体性能。此外，公司通过先进的发射极效率管理、优化的阳极扩散曲线和阴极缓冲区、优化的N-基底厚度与发射极和载流子寿命，以及特别设计的链接终端，实现了较低的FRD损耗，也降低了IGBT的通导损耗。
ED-Type模块，采用标准的“EconoDual”封装设计，使用赛晶半导体i20和d20芯片组，推出了1200V/750A和1200V600A两个型号产品。ED-Type模块采用了“直线型”优化设计，大幅提升了均流表现，并在降低损耗的同时，提高了可靠性表现。源于卓越的i20和d20芯片组、出色的优化设计和工艺水平、严格的原材料选用和供应链管理、首屈一指的智能自动化制造生产线，ED-Type模块与国外领域企业的同类产品对比中，表现出了更加优异的综合性能。
